Resultados da busca por Autor

1

Experimental Analysis of Differential Pairs Designed with Line Tunnel FET Devices

por Martino, M. D. V.

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

2

AlGaN/GaN MISHEMT analysis from an analog point of view up to 150 degrees C

por Agopian, P. G. D. [UNESP]

Publicado em 2020

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Artigo de conferência

3

Gate dielectric material influence on DC behavior of MO(I)SHEMT devices operating up to 150 °C

por Agopian, P. G.D. [UNESP]

Publicado em 2021

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Artigo

4

Comparison between proton irradiated triple gate SOI TFETS and finfets from a TID point of view

por Agopian, P. G.D. [UNESP]

Publicado em 2019

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Artigo

5

Performance of differential pair circuits designed with line tunnel FET devices at different temperatures

por Martino, M. D.V.

Publicado em 2018

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Artigo

6

Experimental comparison between relaxed and strained Ge pFinFETs

por Oliveira, A. V.

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

7

Low temperature effect on strained and relaxed Ge pFinFETs STI last processes

por Oliveira, A. V.

Publicado em 2016

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Artigo de conferência

8

Split CV mobility at low temperature operation of Ge pFinFETs fabricated with STI first and last processes

por Oliveira, A. V.

Publicado em 2016

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Artigo

9

Ground Plane Impact on the Threshold Voltage of Relaxed Ge pFinFETs

por Goncalves, G. V.

Publicado em 2018

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Artigo de conferência

10

Impact of the Zn diffusion process at the source side of InxGa1-xAs nTFETs on the analog parameters down to 10 K

por Bordallo, C.

Publicado em 2018

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Artigo de conferência

11

Impact of InxGa1-x composition and source Zn diffusion temperature on intrinsic voltage gain in InGaAs TFETs

por Bordallo, C.

Publicado em 2016

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Artigo de conferência

12

Low Temperature Influence on Long Channel STI Last Process Relaxed and Strained Ge pFinFETs

por Oliveira, A. V.

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

13

Impact of the Zn diffusion process at the source side of InXGa1-XAs nTFETs on the analog parameters down to 10 K

por Bordallo, C.

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

14

Analysis of the transistor efficiency of gas phase Zn diffusion In0.53Ga0.47As nTFETs at different temperatures

por Bordallo, C.

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

15

Impact of InxGa1-x composition and source Zn diffusion temperature on intrinsic voltage gain in InGaAs TFETs

por Bordallo, C.

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

16

Analog parameters of solid source Zn diffusion in X Ga1-XAs nTFETs down to 10 K

por Bordallo, C.

Publicado em 2016

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Artigo

17

Analysis of the transistor efficiency of Gas Phase Zn Diffusion In0.53Ga0.47As nTFETs at different temperatures

por Bordallo, C.

Publicado em 2017

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Artigo de conferência

18

InGaAs tunnel FET with sub-nanometer EOT and sub-60 mV/dec sub-threshold swing at room temperature

por Alian, A.

Publicado em 2016

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Artigo

19

OPPOSITE TRENDS BETWEEN DIGITAL AND ANALOG PERFORMANCE FOR DIFFERENT TFET TECHNOLOGIES

por Agopian, P. G. D. [UNESP]

Publicado em 2018

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Artigo de conferência