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1
Overpressurized bubbles versus voids formed in helium implanted annealed silicon
por
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Publicado em 1997
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Skorupa
,
Wolfgang
...
”
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2
Copper gettering at half the projected ion range induced by low-energy channeling He implantation into silicon
por
Fichtner, Paulo Fernando Papaleo
Publicado em 2000
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“
...
Skorupa
,
Wolfgang
...
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3
Gettering of copper in silicon at half of the projected ion range induced by helium implantation
por
Peeva, Anita
Publicado em 2002
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...
Skorupa
,
Wolfgang
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”
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4
Cu gettering in ion implanted and annealed silicon in regions before and beyond the mean projected ion range
por
Kögler, R.
Publicado em 2003
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...
Skorupa
,
Wolfgang
...
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5
Cluster coarsening and luminescence emission intensity of Ge nanoclusters in SiO/sub 2/ layers
por
Lopes, João Marcelo Jordão
Publicado em 2003
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“
...
Skorupa
,
Wolfgang
...
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6
Electroluminescence induced by Ge nanocrystals obtained by hot ion implantation into SiO2
por
Bregolin, Felipe Lipp
Publicado em 2009
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...
Skorupa
,
Wolfgang
...
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