Modelagem não-linear de transistores de efeito de campo pelo método dos mínimos quadrados iterativo

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Oliveira, Marcelo Francisco de, 1990-
Data de Publicação: 2019
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFPR
Texto Completo: https://hdl.handle.net/1884/65542
Resumo: Orientador: Prof. Dr. Wilson Arnaldo Artuzi Junior
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spelling Oliveira, Marcelo Francisco de, 1990-Universidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia ElétricaArtuzi Junior, Wilson Arnaldo2021-05-26T20:26:47Z2021-05-26T20:26:47Z2019https://hdl.handle.net/1884/65542Orientador: Prof. Dr. Wilson Arnaldo Artuzi JuniorDissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. Defesa : Curitiba, 26/08/2019Inclui referências: p. 65-67Resumo: Essa dissertação propõe a modelagem não linear de transistores de efeito de campo de radiofrequência e a análise não linear quando o mesmo opera como amplificador. Na metodologia utilizada neste trabalho, inicialmente é realizada a extração dos parâmetros do modelo de pequenos sinais através da técnica dos mínimos quadrados iterativo, utilizando para isso os dados dos parâmetros de espalhamento (ou parâmetros S) para todos os pontos de polarização fornecidos pelos fabricantes dos transistores. Com os parâmetros extraídos, é realizada a modelagem dos elementos intrínsecos (Ids, Cgs, Cds e Cdg) do modelo através de equações pré determinadas. A extração e a modelagem dos parâmetros do circuito equivalente do transistor são realizadas através do software Matlab. A análise não linear do comportamento do transistor é feita através da simulação do circuito equivalente de grandes sinais do transistor através do software Qucs, no qual é realizada a análise das potências de entrada e saída e feita a comparação com os dados fornecidos pelo datasheet para validação. Palavras-chave: Modelagem não linear. FET. Método dos mínimos quadrados. Circuito equivalente de pequenos sinais.Abstract: This dissertation proposes the nonlinear modeling of radiofrequency field effect transistors and the nonlinear analysis when it operates as an amplifier. In the methodology used in this work, the extraction of small signal model parameters is performed through the iterative least squares technique, using the scattering parameter data (or S parameters) for all polarization points provided by the transistor manufacturers. With the extracted parameters, the modeling of the intrinsic elements (Ids, Cgs, Cds e Cdg) of the model is performed through predetermined equations. Extraction and modeling of the transistor equivalent circuit parameters is performed using Matlab software. The nonlinear analysis of the transistor behavior is made by simulating the large signals equivalent circuit through the Qucs software, where the input and output power analysis is performed and compared with the data provided by the datasheet for validation. Keywords: Nonlinear Modeling. FET. Least-squares method. Small Signal Equivalent Circuit.86 p. : il.application/pdfTransistoresMinimos quadradosEngenharia ElétricaModelagem não-linear de transistores de efeito de campo pelo método dos mínimos quadrados iterativoinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisporreponame:Repositório Institucional da UFPRinstname:Universidade Federal do Paraná (UFPR)instacron:UFPRinfo:eu-repo/semantics/openAccessORIGINALR - D - MARCELO FRANCISCO DE OLIVEIRA.pdfapplication/pdf2849528https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/65542/1/R%20-%20D%20-%20MARCELO%20FRANCISCO%20DE%20OLIVEIRA.pdff4017a34e11a47c7b67a459440712d91MD51open access1884/655422021-05-26 17:26:48.017open accessoai:acervodigital.ufpr.br:1884/65542Repositório de PublicaçõesPUBhttp://acervodigital.ufpr.br/oai/requestopendoar:3082021-05-26T20:26:48Repositório Institucional da UFPR - Universidade Federal do Paraná (UFPR)false
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