Análise de falhas em uma memória PSRAM por efeitos de dose total ionizante

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Both, Thiago Hanna
Data de Publicação: 2011
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFRGS
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10183/65657
Resumo: Este relatório apresenta o trabalho desenvolvido durante a disciplina Projeto de Diplomação do Curso de Engenharia Elétrica da Universidade Federal do Rio Grande do Sul. O objetivo deste trabalho é descrever os efeitos da dose total ionizante em uma memória PSRAM comercial. Circuitos típicos deste tipo de memória foram abordados, bem como conceitos básicos de TID e de organização de memória. Simulações dos efeitos de dose total foram realizadas e os resultados comparados ao resultado experimental de um teste de irradiação realizado no LRI/IEAv.
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