Desenvolvimento de um sistema de medidas de transporte de carga em função da temperatura em semicondutores

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Tumelero, Milton Andre
Data de Publicação: 2012
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFSC
Texto Completo: http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/93657
Resumo: Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Florianópolis, 2010
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spelling Desenvolvimento de um sistema de medidas de transporte de carga em função da temperatura em semicondutoresEngenharia eletricaFilmes finosÓxido de cobreSemicondutoresCriostatoDissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Florianópolis, 2010Neste trabalho foi realizada a instalação de um criostato de 10 K e o desenvolvimento de um software para o controle e aquisição de dados, de forma a preparar este equipamento para caracterização elétrica de materiais. Substratos de silício tipo n e p foram utilizados como teste para garantir o correto funcionamento do equipamento. Informações como resistividade, densidade de portadores, mobilidade e magnetorresistência obtidas para esses substratos se mostraram coerentes com as existentes na literatura. Essas informações também podem ser utilizadas em futuras caracterizações de dispositivos eletrônicos e spintrônicos crescidos sobre esses substratos. Também foram realizadas medidas de transporte elétrico em filmes finos eletrodepositados de Cu2O, com o objetivo de determinar o mecanismo principal de condução desse material. As mesmas medidas foram realizadas em filmes finos de Cu2O dopados com Co, para servir de comparação. O comportamento magnetorresistivo desses filmes junto com as alturas de barreira com os substratos foram estudados para que a maior quantidade possível de informações fosse obtida.In this work was performed the installation of a 10 K cryostat and the development of a software for control and data acquisition. Silicon n and p type substrates were used to ensure that the equipment was working properly. The measured resistivity, mobility, density of carriers, and magnetoresistance were in good agreement with literature. That data will be useful understanding and future development of silicon-based devices. Electrical measurements were also performed in thin films of Cu2O doped and undoped with Co, to determine the main transport mechanism. Magnetoresistance and barrier height were studied to obtain some additional information about the transport of these materials.Cunha, Carlo Requião daUniversidade Federal de Santa CatarinaTumelero, Milton Andre2012-10-25T01:35:23Z2012-10-25T01:35:23Z2012-10-25T01:35:23Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisxv, 83 p.| il., grafs., tabs.application/pdf285230http://repositorio.ufsc.br/xmlui/handle/123456789/93657porreponame:Repositório Institucional da UFSCinstname:Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)instacron:UFSCinfo:eu-repo/semantics/openAccess2013-05-02T00:12:19Zoai:repositorio.ufsc.br:123456789/93657Repositório InstitucionalPUBhttp://150.162.242.35/oai/requestopendoar:23732013-05-02T00:12:19Repositório Institucional da UFSC - Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC)false
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