Temperature dependence of impurity levels in bulk semiconductors

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Amato, Marco Antonio
Data de Publicação: 2006
Tipo de documento: Artigo
Idioma: eng
Título da fonte: Repositório Institucional da UnB
Texto Completo: http://repositorio.unb.br/handle/10482/26802
https://dx.doi.org/10.1590/S0102-47442006000200010
Resumo: O estudo da dependência da posição dos níveis de energia das impurezas profundas em semicondutores com a temperatura é um problema bastante interessante, e sua evidência experimental é discutida por vários autores. Neste artigo propomos um modelo teórico bastante simples, a partir do conhecimento da secção de choque de fotoionização e de alguns parametros associados aos fónons, para o entendimento deste comportamento.
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spelling Temperature dependence of impurity levels in bulk semiconductorsEstudo do efeito térmico sobre os níveis de impurezas em semicondutoresSemicondutores - físicaPropriedades térmicasO estudo da dependência da posição dos níveis de energia das impurezas profundas em semicondutores com a temperatura é um problema bastante interessante, e sua evidência experimental é discutida por vários autores. Neste artigo propomos um modelo teórico bastante simples, a partir do conhecimento da secção de choque de fotoionização e de alguns parametros associados aos fónons, para o entendimento deste comportamento.The temperature dependence of impurity levels in semiconductors is a very interesting problem in the domain of deep levels impurities. Its evidence in experimental results is reported by many authors. However, the interpretation on theoretical basis requires sophisticated models. In this paper we propose a very simple model that allows to extract the relevant parameters from the experiment without needing heavy computation.Sociedade Brasileira de Física2017-12-07T04:45:56Z2017-12-07T04:45:56Z2006info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/articleapplication/pdfAMATO, M. A. Estudo do efeito térmico sobre os níveis de impurezas em semicondutores. Revista Brasileira de Ensino de Física, v. 28, n. 2, p. 191-194, 2006. DOI: https://doi.org/10.1590/S0102-47442006000200010. Disponível em: https://www.scielo.br/j/rbef/a/7gGP3HRQ4gnDr4mxsMxp3yv/?lang=pt#. Acesso em: 06 jun. 2022.http://repositorio.unb.br/handle/10482/26802https://dx.doi.org/10.1590/S0102-47442006000200010Revista Brasileira de Ensino de Física - This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License (CC BY NC). Fonte: https://www.scielo.br/j/rbef/a/7gGP3HRQ4gnDr4mxsMxp3yv/?lang=pt#. Acesso em: 06 jun. 2022.info:eu-repo/semantics/openAccessAmato, Marco Antonioengreponame:Repositório Institucional da UnBinstname:Universidade de Brasília (UnB)instacron:UNB2023-05-27T00:19:56Zoai:repositorio.unb.br:10482/26802Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.unb.br/oai/requestrepositorio@unb.bropendoar:2023-05-27T00:19:56Repositório Institucional da UnB - Universidade de Brasília (UnB)false
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