Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Shibli, Suhaila Maluf
Data de Publicação: 1987
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579590
Resumo: Orientador: Mauro Monteiro Garcia de Carvalho
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spelling Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37Semicondutores líquidosFísicaOrientador: Mauro Monteiro Garcia de CarvalhoDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: A liga quaternária semicondutora InGaAsP vem sendo utilizada na fabricação de dispositivos optoeletrônicos, os quais requerem um alto grau de controle quanto às suas características. Para isto, é necessário determinar certos parâmetros deste material. Informações sobre o número e mobilidade dos portadores, energia do nível de impurezas e mecanismos de condução, entre outras, são obtidas medindo-se a resistividade e o efeito Hall em função da temperatura. O presente trabalho consta de dois objetivos principais: a) Montagem e operação de equipamento para medidas de efeito Hall e resistividade em função da temperatura usando líquidos criogênicos. b) Análise dos resultados através de cálculos computacionaisAbstract: The quaternary alloy InGaAsP has been used in the fabrication of optoelectronic devices which require high degrees of control as far as their properties are concerned. Thus, it becomes necessary to determine some of its characteristic parameters. Information about the number and mobility of carriers, impurity energy level and conduction mechanisms, among others, are yielded by resistivity and Hall Effect measurements as a function of temperature. The present work has two main goals: a) Setting up and dealing with the proper experimental arrangements for such measurements using cryogenic liquids. b) Analyzing experimental results using computational calculationsMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Carvalho, Mauro Monteiro Garcia de, 1948-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASShibli, Suhaila Maluf19871987-07-25T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf91 f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579590SHIBLI, Suhaila Maluf. Caracterização elétrica de camadas epitaxiais de In0,71Ga0,29As0,63P0,37. 1987. 91 f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1579590. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/53013porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-06-27T10:35:49Zoai::53013Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2019-06-27T10:35:49Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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