Difusão de enxofre em arseneto de gálio por processamento térmico rápido

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Lujan, Alexandre Sansigolo
Data de Publicação: 1991
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575517
Resumo: Orientador: Francisco Carlos de Prince
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spelling Difusão de enxofre em arseneto de gálio por processamento térmico rápidoCircuitos integradosSemicondutoresOrientador: Francisco Carlos de PrinceDissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb WataghinResumo: Neste trabalho nos desenvolvemos uma nova técnica de difusão de Sem GaAs. A técnica usa um processador térmico rápido (RTP), para difusões de tempo curto (15-90s). Camadas com alta concentração (3x1018cm-3) e alta mobilidade (2000cm2/Vs), foram obtidas usando essa técnica. FET' s de arseneto de gálio foram fabricados e caracterizados. Transcondutâncias de 160mS/mm, para um comprimento de "gate" de 3 mm, e resistências serie de 1 Wmm foram obtidas. Os resultados mostram que a técnica desenvolvida é capaz de produzir dispositivos para uso práticoAbstract: In this work we develope a. new diffusion technique of S in GaAs. The technique uses a rapid thermal processor (RTP), for a very short time diffusions (15-90s). High concentration (3x1018cm-3) and high mobility (2000cm2/Vs) layers were obtained using this technique. Gallium arsenide FET"s were fabricated and characterized. Transcondutances of 160mS/mm, for gale length of 3 mm, and Series resistance¿s per gate width of 1 Wmm were obtained. The results show that the technique developed is capable of yield devices for practical useMestradoFísicaMestre em Física[s.n.]Prince, Francisco Carlos de, 1954-Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb WataghinPrograma de Pós-Graduação em FísicaUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINASLujan, Alexandre Sansigolo19911991-07-23T00:00:00Zinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdf[213]f. : il.https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575517LUJAN, Alexandre Sansigolo. Difusão de enxofre em arseneto de gálio por processamento térmico rápido. 1991. [213]f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin, Campinas, SP. Disponível em: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1575517. Acesso em: 2 set. 2024.https://repositorio.unicamp.br/acervo/detalhe/31817porreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instname:Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)instacron:UNICAMPinfo:eu-repo/semantics/openAccess2015-01-30T16:09:55Zoai::31817Biblioteca Digital de Teses e DissertaçõesPUBhttp://repositorio.unicamp.br/oai/tese/oai.aspsbubd@unicamp.bropendoar:2015-01-30T16:09:55Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)false
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