Análise de transistores FinFETs em baixas temperaturas

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Araujo, Gustavo Vinicius de
Data de Publicação: 2021
Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UNESP
Texto Completo: http://hdl.handle.net/11449/213783
Resumo: Temperature is an important parameter to be considered in electronic devices since many devices operate in environments with very low or very high temperatures that make the devices behave differently. In this work, the effect of temperature on triple gate FinFETs transistors was studied, varying the temperature between 100K and 300K. It was observed how the temperature impacts the variation of basic parameters such as threshold voltage, transconductance, effective mobility of carriers and subthreshold slope using the ATLAS device simulator. The analysis was done both in triode, with a low drain voltage, and in saturation, for a high drain voltage, to analyze the potential of this device in digital (device operating as a switch) and analog (where the effects) applications Degradatives from impact ionization affect circuit performance. The simulations were calibrated with the experimental results at ambient temperature and the study of the influence of temperature was carried out exclusively by simulation.
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