Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li)

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Chávez, Juan Yury Zevallos
Data de Publicação: 2003
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
Texto Completo: http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18072012-091217/
Resumo: A Função Resposta (FR) foi obtida para os detectores semicondutores Ge e Si(Li) usando o método semiempírico. A FR foi calculada para cinco detectores, 4 de HpGe, de volumes ativos 89 cm3, 50 cm3, 8 cm3 e 5 cm3, e um detector de Si(Li) de 0,143 cm3 de volume ativo. O intervalo de energia estudado dói de 6 keV até 1,5 MeV. Dois tipos de estudos foram realizados neste trabalho. O primeiro estudo foi a dependência da FR com a geometria de detecção. Este estudo envolveu o cálculo da FR para uma geometria denominada simples e a extrapolação da FR calculada. A extração da FR foi realizada para analisar tanto espectros obtidos com uma geometria com blindagem, como espectros onde a distância fonte-detector foi modificada. O segundo estudo foi a dependência da FR com a eletrônica de detecção. Este estudo foi realizado variando-se o tempo de formação de pulso na eletrônica de detecção. O objetivo foi a de verificar a existência ou ausência do efeito do déficit balístico na resolução do detector. Este efeito não foi observado. As componentes da FR que descrevem a região de absorção total da energia dos fótons incidentes, bem como as componentes que descrevem a absorção parcial dessa energia foram estudadas. Particularmente, neste trabalho, foram propostas funções empíricas tanto para o tratamento do espalhamento Compton múltiplo originado no próprio detector (cristal), como para o espalhamento de fótons originado nas vizinhanças do cristal. Um estudo através de simulações via Monte Carlo foi também realizado, para a compreensão das estruturas de espalhamento de fótons produzidas numa blindagem de ferro. Uma proposta de deconvolução de espectros envolvendo radiação espalhada foi estudada, para fins de cálculo da dose depositada no material espalhador.
id USP_91b445ec741ecedb225d84fe16a06695
oai_identifier_str oai:teses.usp.br:tde-18072012-091217
network_acronym_str USP
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository_id_str 2721
spelling Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li)Response function of semiconductor detectors, Ge and Si (Li)Detecção GamaDetection gamaDetectores de Ge e Si(Li)Detectors Ge and Si (Li)Função RespostaMonte CarloMonte CarloResponse FunctionA Função Resposta (FR) foi obtida para os detectores semicondutores Ge e Si(Li) usando o método semiempírico. A FR foi calculada para cinco detectores, 4 de HpGe, de volumes ativos 89 cm3, 50 cm3, 8 cm3 e 5 cm3, e um detector de Si(Li) de 0,143 cm3 de volume ativo. O intervalo de energia estudado dói de 6 keV até 1,5 MeV. Dois tipos de estudos foram realizados neste trabalho. O primeiro estudo foi a dependência da FR com a geometria de detecção. Este estudo envolveu o cálculo da FR para uma geometria denominada simples e a extrapolação da FR calculada. A extração da FR foi realizada para analisar tanto espectros obtidos com uma geometria com blindagem, como espectros onde a distância fonte-detector foi modificada. O segundo estudo foi a dependência da FR com a eletrônica de detecção. Este estudo foi realizado variando-se o tempo de formação de pulso na eletrônica de detecção. O objetivo foi a de verificar a existência ou ausência do efeito do déficit balístico na resolução do detector. Este efeito não foi observado. As componentes da FR que descrevem a região de absorção total da energia dos fótons incidentes, bem como as componentes que descrevem a absorção parcial dessa energia foram estudadas. Particularmente, neste trabalho, foram propostas funções empíricas tanto para o tratamento do espalhamento Compton múltiplo originado no próprio detector (cristal), como para o espalhamento de fótons originado nas vizinhanças do cristal. Um estudo através de simulações via Monte Carlo foi também realizado, para a compreensão das estruturas de espalhamento de fótons produzidas numa blindagem de ferro. Uma proposta de deconvolução de espectros envolvendo radiação espalhada foi estudada, para fins de cálculo da dose depositada no material espalhador.The Response Function (RF) for Ge and Si(Li) semiconductor detectors was obtained. The RF was calculated for Five detectors, four HpGe with active volumes of 89 cm3, 50 cm3, 8 cm3 and 5 cm3, and one Si(Li) with 0,143 cm3 of active volume. The intervalo f energy studied ranger from 6 keV up to 1,5 MeV. Two kinds of studies were done in this work. The first one was the RF dependence with the detection geometry. Here the calculation of the RF for a geometry named as simple and na extrapolation of that RF, were both done. The extrapolation peocess analyzed both, spectra obtained with a shielding geometry and spectra where the source-detector distance was modified. The second one was the RF dependence with the detection electronics. The purpose was to verify the effect of the ballistic déficit in the resolution of the detector. This effect was not observed. The RF component that describe the region of the total absorption of the energy of the incident phtons, and the partial absorption of this energy, were both treated. In particular, empirical functions were proposed for the treatment of both, the multiple scattering originated in the detector (crystal), and the phton scattering originated in materials of the neighborhood of the crytal. Another study involving Monte Carlo simulations was also done in order to comprehend the photon scattering strutures produced in na iron shield. A deconvolution method is suggested, for spectra related to scattered radition in order to assess the dose delivered to the scattered.Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USPCruz, Manoel Tiago Freitas daChávez, Juan Yury Zevallos2003-08-14info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisapplication/pdfhttp://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18072012-091217/reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USPinstname:Universidade de São Paulo (USP)instacron:USPLiberar o conteúdo para acesso público.info:eu-repo/semantics/openAccesspor2016-07-28T16:10:31Zoai:teses.usp.br:tde-18072012-091217Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.teses.usp.br/PUBhttp://www.teses.usp.br/cgi-bin/mtd2br.plvirginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.bropendoar:27212016-07-28T16:10:31Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)false
dc.title.none.fl_str_mv Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li)
Response function of semiconductor detectors, Ge and Si (Li)
title Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li)
spellingShingle Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li)
Chávez, Juan Yury Zevallos
Detecção Gama
Detection gama
Detectores de Ge e Si(Li)
Detectors Ge and Si (Li)
Função Resposta
Monte Carlo
Monte Carlo
Response Function
title_short Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li)
title_full Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li)
title_fullStr Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li)
title_full_unstemmed Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li)
title_sort Função resposta de detectores semicondutores, Ge e Si(Li)
author Chávez, Juan Yury Zevallos
author_facet Chávez, Juan Yury Zevallos
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Cruz, Manoel Tiago Freitas da
dc.contributor.author.fl_str_mv Chávez, Juan Yury Zevallos
dc.subject.por.fl_str_mv Detecção Gama
Detection gama
Detectores de Ge e Si(Li)
Detectors Ge and Si (Li)
Função Resposta
Monte Carlo
Monte Carlo
Response Function
topic Detecção Gama
Detection gama
Detectores de Ge e Si(Li)
Detectors Ge and Si (Li)
Função Resposta
Monte Carlo
Monte Carlo
Response Function
description A Função Resposta (FR) foi obtida para os detectores semicondutores Ge e Si(Li) usando o método semiempírico. A FR foi calculada para cinco detectores, 4 de HpGe, de volumes ativos 89 cm3, 50 cm3, 8 cm3 e 5 cm3, e um detector de Si(Li) de 0,143 cm3 de volume ativo. O intervalo de energia estudado dói de 6 keV até 1,5 MeV. Dois tipos de estudos foram realizados neste trabalho. O primeiro estudo foi a dependência da FR com a geometria de detecção. Este estudo envolveu o cálculo da FR para uma geometria denominada simples e a extrapolação da FR calculada. A extração da FR foi realizada para analisar tanto espectros obtidos com uma geometria com blindagem, como espectros onde a distância fonte-detector foi modificada. O segundo estudo foi a dependência da FR com a eletrônica de detecção. Este estudo foi realizado variando-se o tempo de formação de pulso na eletrônica de detecção. O objetivo foi a de verificar a existência ou ausência do efeito do déficit balístico na resolução do detector. Este efeito não foi observado. As componentes da FR que descrevem a região de absorção total da energia dos fótons incidentes, bem como as componentes que descrevem a absorção parcial dessa energia foram estudadas. Particularmente, neste trabalho, foram propostas funções empíricas tanto para o tratamento do espalhamento Compton múltiplo originado no próprio detector (cristal), como para o espalhamento de fótons originado nas vizinhanças do cristal. Um estudo através de simulações via Monte Carlo foi também realizado, para a compreensão das estruturas de espalhamento de fótons produzidas numa blindagem de ferro. Uma proposta de deconvolução de espectros envolvendo radiação espalhada foi estudada, para fins de cálculo da dose depositada no material espalhador.
publishDate 2003
dc.date.none.fl_str_mv 2003-08-14
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
format doctoralThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18072012-091217/
url http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-18072012-091217/
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv
dc.rights.driver.fl_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
info:eu-repo/semantics/openAccess
rights_invalid_str_mv Liberar o conteúdo para acesso público.
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.coverage.none.fl_str_mv
dc.publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
publisher.none.fl_str_mv Biblioteca Digitais de Teses e Dissertações da USP
dc.source.none.fl_str_mv
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
instname:Universidade de São Paulo (USP)
instacron:USP
instname_str Universidade de São Paulo (USP)
instacron_str USP
institution USP
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da USP - Universidade de São Paulo (USP)
repository.mail.fl_str_mv virginia@if.usp.br|| atendimento@aguia.usp.br||virginia@if.usp.br
_version_ 1809090833313431552