Estudo do processo de estampagem incremental em chapas de titânio comercialmente puro ASTM F-67 grau 2 / Study of the incremental sheet forming in sheets of commercially pure titanium ASTM F-67 grade 2

• Autor(a) principal: Marques, Clauber Roberto Melo
• Data de Publicação: 2022
• Outros Autores: Daleffe, Anderson, Fritzen, Daniel, Marques, Carolina Resmini Melo, de March, Gilson
• Tipo de documento: Artigo
• Idioma: por
• Título da fonte: Revista Veras
• Texto Completo: https://ojs.brazilianjournals.com.br/ojs/index.php/BRJD/article/view/46767
• topic: estampagem incremental; titânio; astm f67; próteses; estratégia helicoidal.

O presente trabalho tem como objetivo avaliar o comportamento da chapa de titânio puro ASTM F-67 grau 2 para o processo de estampagem incremental de chapas (ISF – Incremental Sheet Forming) baseado nos parâmetros: decida helicoidal da ferramenta, ângulo de parede (Ψ) e raio de canto. Os experimentos foram realizados utilizando a estampagem incremental de ponto simples. Foram realizados 18 experimentos no total, com os quais buscou-se alcançar o melhor ângulo de parede com decida helicoidal da ferramenta e avaliar a influência do raio de canto. O raio base utilizado foi de 20 mm, com este, buscou-se atingir o melhor ângulo de parede possível. A partir disto variou-se o raio para avaliar a influência deste na estampagem incremental. Para os experimentos foram utilizados os seguintes recursos: softwares CAD/CAM, centro de usinagem CNC com três eixos, matriz incremental, ferramenta de estampagem incremental com inserto de titânio e um dispositivo prensa chapas. Foram avaliados a rugosidade superficial Ra, as deformações verdadeiras (φ) e a variação de espessura. Os resultados mostram que a estratégia de descida helicoidal da ferramenta proporcionou aumento do ângulo de parede comparado com estudos já realizados nesta área; o raio de canto influencia no rompimento da peça durante a estampagem. Os índices de rugosidade ficaram dentro dos valores indicados para a fabricação de próteses de titânio.