Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: DIEGO ROSSI
Data de Publicação: 2015
Tipo de documento: Dissertação
Título da fonte: Portal de Dados Abertos da CAPES
Texto Completo: https://sucupira.capes.gov.br/sucupira/public/consultas/coleta/trabalhoConclusao/viewTrabalhoConclusao.jsf?popup=true&id_trabalho=3047980
id BRCRIS_f8fc0b57fffdebb511b368432029dc25
network_acronym_str CAPES
network_name_str Portal de Dados Abertos da CAPES
dc.title.pt-BR.fl_str_mv Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)
title Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)
spellingShingle Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)
concentração dos elementos presentes. As características de molhabilidade dos filmes foram medidas em um goniômetro, através da análise da interação da gota de um fluído com a superfície dos filmes. Espessuras medidas por perfilômetria foram comparadas a valores teóricos provenientes das constantes ópticas. Os resultados do XPS demonstraram a presença de cloro nos filmes, a concentração máxima obtida foi de ~ 8% at. Houve um aumento na taxa de deposição dos filmes em função do aumento da proporç
Thin film, PECVD, optical constants, UV / Vis / NIR
DIEGO ROSSI
title_short Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)
title_full Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)
title_fullStr Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)
Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)
title_full_unstemmed Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)
Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)
title_sort Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)
topic concentração dos elementos presentes. As características de molhabilidade dos filmes foram medidas em um goniômetro, através da análise da interação da gota de um fluído com a superfície dos filmes. Espessuras medidas por perfilômetria foram comparadas a valores teóricos provenientes das constantes ópticas. Os resultados do XPS demonstraram a presença de cloro nos filmes, a concentração máxima obtida foi de ~ 8% at. Houve um aumento na taxa de deposição dos filmes em função do aumento da proporç
Thin film, PECVD, optical constants, UV / Vis / NIR
publishDate 2015
format masterThesis
url https://sucupira.capes.gov.br/sucupira/public/consultas/coleta/trabalhoConclusao/viewTrabalhoConclusao.jsf?popup=true&id_trabalho=3047980
author_role author
author DIEGO ROSSI
author_facet DIEGO ROSSI
dc.contributor.authorLattes.fl_str_mv http://lattes.cnpq.br/2113376461493840
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv STEVEN FREDERICK DURRANT
dc.contributor.advisor1Lattes.fl_str_mv http://lattes.cnpq.br/5137862536106636
dc.contributor.advisor1orcid.por.fl_str_mv https://orcid.org/0000-0002-4511-3768
dc.publisher.none.fl_str_mv UNIVERSIDADE EST.PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO/BAURU
publisher.none.fl_str_mv UNIVERSIDADE EST.PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO/BAURU
instname_str UNIVERSIDADE EST.PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO/BAURU
dc.publisher.program.fl_str_mv CIÊNCIA E TECNOLOGIA DE MATERIAIS
dc.description.course.none.fl_txt_mv CIÊNCIA E TECNOLOGIA DE MATERIAIS
reponame_str Portal de Dados Abertos da CAPES
collection Portal de Dados Abertos da CAPES
spelling CAPESPortal de Dados Abertos da CAPESCaracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)concentração dos elementos presentes. As características de molhabilidade dos filmes foram medidas em um goniômetro, através da análise da interação da gota de um fluído com a superfície dos filmes. Espessuras medidas por perfilômetria foram comparadas a valores teóricos provenientes das constantes ópticas. Os resultados do XPS demonstraram a presença de cloro nos filmes, a concentração máxima obtida foi de ~ 8% at. Houve um aumento na taxa de deposição dos filmes em função do aumento da proporç2015masterThesishttps://sucupira.capes.gov.br/sucupira/public/consultas/coleta/trabalhoConclusao/viewTrabalhoConclusao.jsf?popup=true&id_trabalho=3047980authorDIEGO ROSSIhttp://lattes.cnpq.br/2113376461493840STEVEN FREDERICK DURRANThttp://lattes.cnpq.br/5137862536106636https://orcid.org/0000-0002-4511-3768UNIVERSIDADE EST.PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO/BAURUUNIVERSIDADE EST.PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO/BAURUUNIVERSIDADE EST.PAULISTA JÚLIO DE MESQUITA FILHO/BAURUCIÊNCIA E TECNOLOGIA DE MATERIAISCIÊNCIA E TECNOLOGIA DE MATERIAISPortal de Dados Abertos da CAPESPortal de Dados Abertos da CAPES
identifier_str_mv ROSSI, DIEGO. Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID). 2015. Tese.
dc.identifier.citation.fl_str_mv ROSSI, DIEGO. Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID). 2015. Tese.
_version_ 1741884366641954816

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