Purifica????o e prepara????o do cristal semicondutor de iodeto de bismuto para aplica????o como detector de radia????o
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2016 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Título da fonte: | Repositório Institucional do IPEN |
Texto Completo: | http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/26609 |
Resumo: | O presente trabalho descreve o procedimento experimental do m??todo de purifica????o do sal de Triiodeto de Bismuto (BiI3), visando uma futura aplica????o destes em cristais semicondutores, como detector de radia????o ?? temperatura ambiente. A t??cnica de Bridgman Vertical Repetido foi aplicada para a purifica????o e crescimento de BiI3, baseada na teoria da fus??o e o fen??meno de nuclea????o do material. Uma ampola preenchida com sal de BiI3, na quantidade m??xima de 25% do seu volume interno, foi posicionada no interior do forno de Bridgman Vertical e verticalmente deslocada ?? uma velocidade de 2 mil??metros por hora dentro do forno programado obedecendo um perfil t??rmico e gradiente de temperatura, com uma temperatura m??xima de 530??C, estabelecidos neste trabalho. A redu????o de impurezas no BiI3, para cada purifica????o, foi analisada por An??lise por Ativa????o Neutr??nica Instrumental (AANI), para a verifica????o da efici??ncia do t??cnica de purifica????o estabelecida neste trabalho, para impurezas de metais tra??o, presente na mat??ria prima do cristal Foi demonstrado que a t??cnica de Bridgman Repetido ?? eficiente para a redu????o da concentra????o de diversas impurezas, como Ag, As, Br, Cr, K, Mo, Na, e Sb. As estruturas cristalinas nos cristais purificados duas e tr??s vezes apresentou similaridade com o padr??o do BiI3. No entanto, para o sal de partida e cristal purificado somente uma vez foi observado a contribui????o de intensidade BiOI (Oxido de Iodeto de Bismuto) similar ao padr??o observada no seu difratograma. ?? conhecido que detectores semicondutores fabricados a partir de cristais com alta pureza exibem uma melhora significativa no seu desempenho, comparado com os cristais produzidos com cristais de baixa pureza. |
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Margarida Mizue HamadaFERRAZ, CAU?? de M.20162016-08-26T10:48:20Z2016-08-26T10:48:20Zhttp://repositorio.ipen.br/handle/123456789/2660910.11606/D.85.2016.tde-14072016-131626O presente trabalho descreve o procedimento experimental do m??todo de purifica????o do sal de Triiodeto de Bismuto (BiI3), visando uma futura aplica????o destes em cristais semicondutores, como detector de radia????o ?? temperatura ambiente. A t??cnica de Bridgman Vertical Repetido foi aplicada para a purifica????o e crescimento de BiI3, baseada na teoria da fus??o e o fen??meno de nuclea????o do material. Uma ampola preenchida com sal de BiI3, na quantidade m??xima de 25% do seu volume interno, foi posicionada no interior do forno de Bridgman Vertical e verticalmente deslocada ?? uma velocidade de 2 mil??metros por hora dentro do forno programado obedecendo um perfil t??rmico e gradiente de temperatura, com uma temperatura m??xima de 530??C, estabelecidos neste trabalho. A redu????o de impurezas no BiI3, para cada purifica????o, foi analisada por An??lise por Ativa????o Neutr??nica Instrumental (AANI), para a verifica????o da efici??ncia do t??cnica de purifica????o estabelecida neste trabalho, para impurezas de metais tra??o, presente na mat??ria prima do cristal Foi demonstrado que a t??cnica de Bridgman Repetido ?? eficiente para a redu????o da concentra????o de diversas impurezas, como Ag, As, Br, Cr, K, Mo, Na, e Sb. As estruturas cristalinas nos cristais purificados duas e tr??s vezes apresentou similaridade com o padr??o do BiI3. No entanto, para o sal de partida e cristal purificado somente uma vez foi observado a contribui????o de intensidade BiOI (Oxido de Iodeto de Bismuto) similar ao padr??o observada no seu difratograma. ?? conhecido que detectores semicondutores fabricados a partir de cristais com alta pureza exibem uma melhora significativa no seu desempenho, comparado com os cristais produzidos com cristais de baixa pureza.Submitted by Marco Antonio Oliveira da Silva (maosilva@ipen.br) on 2016-08-26T10:48:20Z No. of bitstreams: 0Made available in DSpace on 2016-08-26T10:48:20Z (GMT). No. of bitstreams: 0Disserta????o (Mestrado em Tecnologia Nuclear)IPEN/DInstituto de Pesquisas Energ??ticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP77neutron activation analyzerscrystal growth methodscrystal growthradiation detectorssemiconductor materialsbismuthbismuth iodidespurificationPurifica????o e prepara????o do cristal semicondutor de iodeto de bismuto para aplica????o como detector de radia????oPurification and preparation of bismuth(III) iodide for application as radiation semiconductor detectorinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisNS??o Pauloinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional do IPENinstname:Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN)instacron:IPEN21820T539.1.074 / F381pFERRAZ, CAU?? de M.16-08http://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/85/85131/tde-14072016-131626/pt-br.php10792FERRAZ, CAU?? 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