Caracteriza????o das propriedades dosim??tricas de diodos de sil??cio empregados em radioterapia com feixe de f??tons

• Autor(a) principal: BIZETTO, CESAR A.
• Data de Publicação: 2013
• Tipo de documento: Dissertação
• Título da fonte: Repositório Institucional do IPEN
• Texto Completo: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/10520
• topic: radiotherapy; photon beams; epitaxy; silicon diodes; dosimetry; on-line measurement systems

No presente trabalho foi estudada a resposta de diodos epitaxiais (EPI) e fus??o zonal (FZ) como dos??metros on-line em tratamentos radioter??picos com feixe de f??tons na faixa de megavoltagem (diodo tipo EPI)e ortovoltagem (diodos tipo EPI e FZ). Para serem usados como dos??metros os diodos foram encapsulados em sondas de polimetilmetacrilato preto (PMMA). Para as medidas da fotocorrente os dispositivos foram conectados a um eletr??metro Keithley® 6517B no modo fotovoltaico. As irradia????es foram feitas com feixes de f??tons de 6 e 18 MV (acelerador Siemens Primus®),6 e 15 MV (acelerador Novalis TX®) e 10, 25, 30 e 50 kV de um equipamento de Radia????o X Pantak/Seifert. Nas medidas com o acelerador Siemens Primus® os diodos foram posicionados entre placas de PMMA a uma profundidade de 10,0 cm e com o acelerador Novalis TX® mantidos entre placas de ??gua s??lida a uma profundidade de 5cm. Em ambos os casos, os diodos foram centralizados em campos de radia????o de 10 ?? 10 cm2, com dist??ncia fonte superf??cie (DFS) mantida fixa em 100 cm. Para as medidas com os feixes de f??tons deortovoltagem os diodos foram posicionados a 50 cm do tubo em um campo de radia????o circular de 8 cm de di??metro. A linearidade com a taxa de dose foi avaliada para as energias de 6 e 15MV do acelerador Novalis TX® variando-se a taxa de dose de 100 a 600 unidades monitoras por minuto e para o feixe de 50 kV variando-se a corrente do tubo de 2 a 20 mA. Todos os dispositivos apresentaram respostas lineares com a taxa de dose e dentro das incertezas, independ??ncia da carga com a mesma. Os sinais de corrente mostraram boa repetibilidade, caracterizada por coeficientes de varia????o em corrente (CV) inferiores a 1,14%(megavoltagem) e 0,15%(ortovoltagem) e em carga menores que 1,84% (megavoltagem) e 1,67% (ortovoltagem). Foram obtidas curvas dose-resposta lineares com coeficientes de correla????o linear melhores que 0,9999 para todos os diodos.