Amplificador faixa larga com mesfet de GaAS para sistemas de até 1,5 Gbit/s
Autor(a) principal: | |
---|---|
Data de Publicação: | 1989 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA |
Texto Completo: | http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=1871 |
Resumo: | Neste trabalho foi implementado um amplificadorpara pequenos sinais e ambiente de 50 com largaura de faixa de 500 KHz a 1,5 GHz (11,5 oitavas) , baseando se em técnicas de circuitos discretos. Utilizando 2 MESFET';s de GaAs, redes de polarizaçãoindutivas e reais de casamento sem perdas o amplificador construído apresentou um gano médio se 27,5 dB com `ripple';de 1,5 dB e uma figura de ruídomenor que 2 dB para freqüência acima de 500 MHz e menor que 3 dBpara freqüências acima de 50 MHz. Os resultados experimentais obtidos demonstram a validade de procedimento utilizado para o projeto sendo conseguido um excelente desempenho em termos de ganho, largura de faixa e figura de ruído. |
id |
ITA_5e5da74fac8703d36e4929f094819d8e |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:agregador.ibict.br.BDTD_ITA:oai:ita.br:1871 |
network_acronym_str |
ITA |
network_name_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA |
spelling |
Amplificador faixa larga com mesfet de GaAS para sistemas de até 1,5 Gbit/sTransistores de efeito de campoAmplificadores a transistorAmplificadores de faixa largaAmplificadores de microondasEngenharia eletrônicaNeste trabalho foi implementado um amplificadorpara pequenos sinais e ambiente de 50 com largaura de faixa de 500 KHz a 1,5 GHz (11,5 oitavas) , baseando se em técnicas de circuitos discretos. Utilizando 2 MESFET';s de GaAs, redes de polarizaçãoindutivas e reais de casamento sem perdas o amplificador construído apresentou um gano médio se 27,5 dB com `ripple';de 1,5 dB e uma figura de ruídomenor que 2 dB para freqüência acima de 500 MHz e menor que 3 dBpara freqüências acima de 50 MHz. Os resultados experimentais obtidos demonstram a validade de procedimento utilizado para o projeto sendo conseguido um excelente desempenho em termos de ganho, largura de faixa e figura de ruído.Instituto Tecnológico de AeronáuticaFlávio Pillon RichardsMaria Margaret Kako1989-12-01info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesishttp://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=1871reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITAinstname:Instituto Tecnológico de Aeronáuticainstacron:ITAporinfo:eu-repo/semantics/openAccessapplication/pdf2019-02-02T14:02:51Zoai:agregador.ibict.br.BDTD_ITA:oai:ita.br:1871http://oai.bdtd.ibict.br/requestopendoar:null2020-05-28 19:37:32.993Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA - Instituto Tecnológico de Aeronáuticatrue |
dc.title.none.fl_str_mv |
Amplificador faixa larga com mesfet de GaAS para sistemas de até 1,5 Gbit/s |
title |
Amplificador faixa larga com mesfet de GaAS para sistemas de até 1,5 Gbit/s |
spellingShingle |
Amplificador faixa larga com mesfet de GaAS para sistemas de até 1,5 Gbit/s Maria Margaret Kako Transistores de efeito de campo Amplificadores a transistor Amplificadores de faixa larga Amplificadores de microondas Engenharia eletrônica |
title_short |
Amplificador faixa larga com mesfet de GaAS para sistemas de até 1,5 Gbit/s |
title_full |
Amplificador faixa larga com mesfet de GaAS para sistemas de até 1,5 Gbit/s |
title_fullStr |
Amplificador faixa larga com mesfet de GaAS para sistemas de até 1,5 Gbit/s |
title_full_unstemmed |
Amplificador faixa larga com mesfet de GaAS para sistemas de até 1,5 Gbit/s |
title_sort |
Amplificador faixa larga com mesfet de GaAS para sistemas de até 1,5 Gbit/s |
author |
Maria Margaret Kako |
author_facet |
Maria Margaret Kako |
author_role |
author |
dc.contributor.none.fl_str_mv |
Flávio Pillon Richards |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Maria Margaret Kako |
dc.subject.por.fl_str_mv |
Transistores de efeito de campo Amplificadores a transistor Amplificadores de faixa larga Amplificadores de microondas Engenharia eletrônica |
topic |
Transistores de efeito de campo Amplificadores a transistor Amplificadores de faixa larga Amplificadores de microondas Engenharia eletrônica |
dc.description.none.fl_txt_mv |
Neste trabalho foi implementado um amplificadorpara pequenos sinais e ambiente de 50 com largaura de faixa de 500 KHz a 1,5 GHz (11,5 oitavas) , baseando se em técnicas de circuitos discretos. Utilizando 2 MESFET';s de GaAs, redes de polarizaçãoindutivas e reais de casamento sem perdas o amplificador construído apresentou um gano médio se 27,5 dB com `ripple';de 1,5 dB e uma figura de ruídomenor que 2 dB para freqüência acima de 500 MHz e menor que 3 dBpara freqüências acima de 50 MHz. Os resultados experimentais obtidos demonstram a validade de procedimento utilizado para o projeto sendo conseguido um excelente desempenho em termos de ganho, largura de faixa e figura de ruído. |
description |
Neste trabalho foi implementado um amplificadorpara pequenos sinais e ambiente de 50 com largaura de faixa de 500 KHz a 1,5 GHz (11,5 oitavas) , baseando se em técnicas de circuitos discretos. Utilizando 2 MESFET';s de GaAs, redes de polarizaçãoindutivas e reais de casamento sem perdas o amplificador construído apresentou um gano médio se 27,5 dB com `ripple';de 1,5 dB e uma figura de ruídomenor que 2 dB para freqüência acima de 500 MHz e menor que 3 dBpara freqüências acima de 50 MHz. Os resultados experimentais obtidos demonstram a validade de procedimento utilizado para o projeto sendo conseguido um excelente desempenho em termos de ganho, largura de faixa e figura de ruído. |
publishDate |
1989 |
dc.date.none.fl_str_mv |
1989-12-01 |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion info:eu-repo/semantics/masterThesis |
status_str |
publishedVersion |
format |
masterThesis |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=1871 |
url |
http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=1871 |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.rights.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Instituto Tecnológico de Aeronáutica |
publisher.none.fl_str_mv |
Instituto Tecnológico de Aeronáutica |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA instname:Instituto Tecnológico de Aeronáutica instacron:ITA |
reponame_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA |
collection |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA |
instname_str |
Instituto Tecnológico de Aeronáutica |
instacron_str |
ITA |
institution |
ITA |
repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA - Instituto Tecnológico de Aeronáutica |
repository.mail.fl_str_mv |
|
subject_por_txtF_mv |
Transistores de efeito de campo Amplificadores a transistor Amplificadores de faixa larga Amplificadores de microondas Engenharia eletrônica |
_version_ |
1706809275480801280 |