Modificação das propriedades elétricas de MoO3 por tratamento térmico e irradiação

• Autor(a) principal: Pereira, Daniela Filipa Rodrigues
• Data de Publicação: 2017
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal (Repositórios Cientìficos)
• Texto Completo: http://hdl.handle.net/10362/34222
• topic: Trióxido de Molibdénio; Implantação Iónica; Tratamentos Térmicos; Fotocondutividade Persistente; Iono-condutividade Persistente; Domínio/Área Científica::Engenharia e Tecnologia::Outras Engenharias e Tecnologias

Trióxido de Molibdénio (MoO3) é um semicondutor com um elevado hiato energético (2;8-3;2 eV), cuja fase -MoO3 ortorrômbica tem vindo a demonstrar potencial para várias aplicações. A presença de lacunas de oxigénio na rede, origina a introdução de estados no interior do hiato energético, o que provoca modificações nas propriedades elétricas e óticas do material. Este trabalho consistiu na modificação das propriedades elétricas de cristais laminares de MoO3 por processos de recozimento em ambiente controlado e implantação iónica com diferentes fluências de oxigénio, tendo como aplicação futura, em perspetiva, o fabrico de dispositivos funcionais. Caraterização elétrica e caraterização estrutural usando difração de raios-X, foram realizadas após esses processos por forma a correlacionar as variações nas propriedades elétricas e os tratamentos a que os cristais foram sujeitos. Por fim, foi realizada caraterização elétrica durante a exposição, dos melhores dispositivos formados, a ciclos de irradiação com radiação ultravioleta (UV) e com um feixe de protões de 2MeV, de forma a compreender o potencial deste semicondutor como detetor UV e de partículas. Com base nestes testes, concluiu-se que é difícil caraterizar amostras virgens devido, não só à fragilidade dos cristais e baixa condutividade elétrica (que muitas vezes não é mensurável com o equipamento disponibilizado), bem como, à variação da condutividade com o grau de humidade da atmosfera onde os dispositivos se encontram. No entanto, através de recozimentos e implantação iónica, é possível aumentar a condutividade dos cristais de forma reprodutível tendo, no último caso, um maior controlo sobre a mesma através do ajuste da fluência. Por outro lado, amostras recozidas revelaram não ser adequadas para a utilização em sensores de radiação UV e partículas uma vez que, estas apresentam respostas lentas e elevados tempos de recuperação quando irradiadas.