Transistores orgânicos eletrolíticos em arquitetura planar e vertical

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Moura, Elton Alves de, 1992-
Data de Publicação: 2020
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Institucional da UFPR
Texto Completo: https://hdl.handle.net/1884/71117
Resumo: Orientador: Prof. Dr. José P. Mansueto Serbena
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spelling Moura, Elton Alves de, 1992-Universidade Federal do Paraná. Setor de Ciências Exatas. Programa de Pós-Graduação em FísicaSerbena, José Pedro Mansueto, 1981-2022-01-14T18:19:51Z2022-01-14T18:19:51Z2020https://hdl.handle.net/1884/71117Orientador: Prof. Dr. José P. Mansueto SerbenaTese (doutorado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em Física. Defesa : Curitiba, 03/12/2020Inclui referências: p.127-139Resumo: Neste trabalho desenvolveram-se e caracterizaram-se transistores orgânicos eletrolíticos em arquitetura planar Au/P3HT/gel iônico/Au e nas arquiteturas verticais ITO/PBT/Sn/gel iônico/Au e ITO/PBT/AgNW/gel iônico/Au. No caso dos transistores planares, investigou-se a influência em seu desempenho de uma camada de PVA ou PMMA adicionada na interface entre o P3HT/gel iônico. Além disso, investigou-se o comportamento dos transistores operando sob duas diferentes faixas de tensões aplicadas à porta (VGS), denominadas de baixo VGS (0,2 V a -0,6 V) e alto VGS (0,2 V a -1,1 V). Com relação aos transistores em arquitetura vertical, investigouse a influência de eletrodos intermediários permeáveis de estanho (Sn) ou nanofios de prata (AgNW) em seu desempenho. Além disso, investigaram-se por imagens de MEV, as características morfológicas dos eletrodos de Sn crescidos por evaporação térmica sobre o substrato de vidro e sobre o filme de PBT. Também investigou-se o comportamento da corrente através do filme de PBT através de curvas I-V realizadas nas células diodos dos transistores verticais nas configurações de ITO/PBT/Sn e ITO/ PBT/AgNW. Essas medidas I-V, além de fornecerem informações sobre o comportamento da corrente através do PBT, contribuíram para uma melhor compreensão em relação ao modo de operação dos transistores. As caracterizações elétricas dos transistores orgânicos eletrolíticos foram realizadas por curvas de transferência (IDS x VGS) e curvas características de saída (IDS x VDS). Palavras-chave: Transistores orgânicos eletrolíticos; OECT; EGOFET; Electrolyte-Gated VOFET e VOECT.Abstract: In this work, electrolyte organic transistors were developed and characterized in planar architecture Au/P3HT/ion gel/Au and vertical architectures ITO/PBT/Sn/ion gel/Au and ITO/PBT/AgNW/ion gel/Au. In the case of planar transistors, the influence on their performance of a layer of PVA and PMMA added at the interface between the P3HT/ion gel was investigated. In addition, the behavior of transistors operating under two diff,erent voltage ranges applied to the gate was investigated, called low VGS (0.2 V to -0.6 V) and high VGS (0.2 V to -1,1 V). Regarding the transistors in the vertical architecture, the influence of permeable intermediate electrodes of tin (Sn) or silver nanowires (AgNW) in their performance was investigated. In addition, the morphological characteristics of Sn electrodes grown by thermal evaporation on the glass substrate and on the PBT film were investigated by SEM images. The behavior of the current through the PBT film carried out on the diode cells of the vertical transistors in the configurations of ITO/ PBT/Sn and ITO/PBT/AgNW was also investigated through I-V curves. These I-V measurements, in addition to providing information on the current behavior through the PBT, contributed to a bettier understanding in relation to the operation mode of the transistors. The electrical characterizations of the electrolyte organic transistors were performed by transfer curves (IDS x VGS) and output characteristic curves (IDS x VDS). Keywords: Electrolyte organic transistors; OECT; EGOFET; Electrolyte- Gated VOFET and VOCET.1 arquivo (139 p.) : PDF.application/pdfFísicaTransistoresEletrodosTransistores orgânicos eletrolíticos em arquitetura planar e verticalinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisporreponame:Repositório Institucional da UFPRinstname:Universidade Federal do Paraná (UFPR)instacron:UFPRinfo:eu-repo/semantics/openAccessORIGINALR - T - ELTON ALVES DE MOURA.pdfapplication/pdf73818503https://acervodigital.ufpr.br/bitstream/1884/71117/1/R%20-%20T%20-%20ELTON%20ALVES%20DE%20MOURA.pdf8fea3d91dd16e980135d94352bed7564MD51open access1884/711172022-01-14 15:19:51.938open accessoai:acervodigital.ufpr.br:1884/71117Repositório de PublicaçõesPUBhttp://acervodigital.ufpr.br/oai/requestopendoar:3082022-01-14T18:19:51Repositório Institucional da UFPR - Universidade Federal do Paraná (UFPR)false
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