Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo
Autor(a) principal: | |
---|---|
Data de Publicação: | 2019 |
Tipo de documento: | Tese |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
Texto Completo: | http://hdl.handle.net/10183/196430 |
Resumo: | Neste trabalho, desenvolveu-se a tecnologia de fabricação de transistores orgânicos de efeito de campo utilizando-se as técnicas de fotolitografia e plasma de oxigênio. Foram produzidos transistores com boas características: alta reprodutibilidade, ótima estabilidade ambiental, altas mobilidades, altas correntes, baixas tensões de operação e baixas resistências de contato, se comparados com os obtidos na literatura. Observou-se a degradação devido ao transporte de cargas. Quanto mais cargas atravessam o canal do transistor, maior é a degradação. Foi mostrado que esta degradação é dependente do grau de regiorregularidade. Quanto maior é a regiorregularidade, menor é a degradação. Mostramos que os contatos de fonte e dreno podem ser compostos por Ni, sendo este uma excelente alternativa ao metal mais utilizado, o Au. Medimos a resistência de contato na fonte e no dreno utilizando o Ni e encontramos valores que estão próximos aos melhores reportados na literatura. Obtivemos valores de mobilidade independentes da resistência de contato, mostrando que ambas variam de acordo com o efeito de campo. Fabricamos transistores com Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) sem defeitos de regiorregularidade, obtendo transistores com mais altas correntes, devido ao aumento da cristalinidade dos filmes e da melhora da estabilidade de operação dos dispositivos. |
id |
URGS_af3791a35383487cbfcd7f3460cfd4d6 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:www.lume.ufrgs.br:10183/196430 |
network_acronym_str |
URGS |
network_name_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
repository_id_str |
1853 |
spelling |
Leite, Gabriel VolkweisBoudinov, Henri Ivanov2019-06-29T02:36:49Z2019http://hdl.handle.net/10183/196430001095144Neste trabalho, desenvolveu-se a tecnologia de fabricação de transistores orgânicos de efeito de campo utilizando-se as técnicas de fotolitografia e plasma de oxigênio. Foram produzidos transistores com boas características: alta reprodutibilidade, ótima estabilidade ambiental, altas mobilidades, altas correntes, baixas tensões de operação e baixas resistências de contato, se comparados com os obtidos na literatura. Observou-se a degradação devido ao transporte de cargas. Quanto mais cargas atravessam o canal do transistor, maior é a degradação. Foi mostrado que esta degradação é dependente do grau de regiorregularidade. Quanto maior é a regiorregularidade, menor é a degradação. Mostramos que os contatos de fonte e dreno podem ser compostos por Ni, sendo este uma excelente alternativa ao metal mais utilizado, o Au. Medimos a resistência de contato na fonte e no dreno utilizando o Ni e encontramos valores que estão próximos aos melhores reportados na literatura. Obtivemos valores de mobilidade independentes da resistência de contato, mostrando que ambas variam de acordo com o efeito de campo. Fabricamos transistores com Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) sem defeitos de regiorregularidade, obtendo transistores com mais altas correntes, devido ao aumento da cristalinidade dos filmes e da melhora da estabilidade de operação dos dispositivos.In this work, the technology of organic field-effect transistors was developed using the techniques of photolithography and oxygen plasma. Transistors with good characteristics were produced: high reproducibility, excellent environmental stability, high mobility, high currents, low operating voltages and low contact resistance, in comparison with the oder ones obtained elsewhere. The degradation was observed due to the transport of charges. The more charges through the transistor channel, the greater the degradation. It has been shown that this degradation is dependent on the degree of regioregularity. The greater the regioregularity, the lower the degradation. We have shown that the source and drain contacts can be composed of Ni, this being an excellent alternative to the most used metal, Au. We measured the contact resistance at the source and the drain using Ni, and found values that are close to the best reported in the literature. We obtained mobility values independent of the contact resistance, showing that both vary according to the field effect. We produced transistors with Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) without defects of regioregularity, obtaining transistors with high currents, due to the increase of crystallinity of the films and the improvement of the stability of operation of the devices.application/pdfporTransistores de efeito de campoFotolitografiaEletrônica orgânicaOFETContact ResistanceOperational StabilityPlasma EtchingPhotolithographyP3HTDesenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campoinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisUniversidade Federal do Rio Grande do SulInstituto de FísicaPrograma de Pós-Graduação em FísicaPorto Alegre, BR-RS2019doutoradoinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGSinstname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)instacron:UFRGSTEXT001095144.pdf.txt001095144.pdf.txtExtracted Texttext/plain182993http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/196430/2/001095144.pdf.txt120bb0a34120b7ff7271371807d6b7b2MD52ORIGINAL001095144.pdfTexto completoapplication/pdf6586721http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/196430/1/001095144.pdf085bf8f5e927ce66bb503ed817deb998MD5110183/1964302019-06-30 02:34:57.447274oai:www.lume.ufrgs.br:10183/196430Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttps://lume.ufrgs.br/handle/10183/2PUBhttps://lume.ufrgs.br/oai/requestlume@ufrgs.br||lume@ufrgs.bropendoar:18532019-06-30T05:34:57Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS)false |
dc.title.pt_BR.fl_str_mv |
Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo |
title |
Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo |
spellingShingle |
Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo Leite, Gabriel Volkweis Transistores de efeito de campo Fotolitografia Eletrônica orgânica OFET Contact Resistance Operational Stability Plasma Etching Photolithography P3HT |
title_short |
Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo |
title_full |
Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo |
title_fullStr |
Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo |
title_full_unstemmed |
Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo |
title_sort |
Desenvolvimento, caracterização e otimização de transistores orgânicos de efeito de campo |
author |
Leite, Gabriel Volkweis |
author_facet |
Leite, Gabriel Volkweis |
author_role |
author |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Leite, Gabriel Volkweis |
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv |
Boudinov, Henri Ivanov |
contributor_str_mv |
Boudinov, Henri Ivanov |
dc.subject.por.fl_str_mv |
Transistores de efeito de campo Fotolitografia Eletrônica orgânica |
topic |
Transistores de efeito de campo Fotolitografia Eletrônica orgânica OFET Contact Resistance Operational Stability Plasma Etching Photolithography P3HT |
dc.subject.eng.fl_str_mv |
OFET Contact Resistance Operational Stability Plasma Etching Photolithography P3HT |
description |
Neste trabalho, desenvolveu-se a tecnologia de fabricação de transistores orgânicos de efeito de campo utilizando-se as técnicas de fotolitografia e plasma de oxigênio. Foram produzidos transistores com boas características: alta reprodutibilidade, ótima estabilidade ambiental, altas mobilidades, altas correntes, baixas tensões de operação e baixas resistências de contato, se comparados com os obtidos na literatura. Observou-se a degradação devido ao transporte de cargas. Quanto mais cargas atravessam o canal do transistor, maior é a degradação. Foi mostrado que esta degradação é dependente do grau de regiorregularidade. Quanto maior é a regiorregularidade, menor é a degradação. Mostramos que os contatos de fonte e dreno podem ser compostos por Ni, sendo este uma excelente alternativa ao metal mais utilizado, o Au. Medimos a resistência de contato na fonte e no dreno utilizando o Ni e encontramos valores que estão próximos aos melhores reportados na literatura. Obtivemos valores de mobilidade independentes da resistência de contato, mostrando que ambas variam de acordo com o efeito de campo. Fabricamos transistores com Poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) (P3HT) sem defeitos de regiorregularidade, obtendo transistores com mais altas correntes, devido ao aumento da cristalinidade dos filmes e da melhora da estabilidade de operação dos dispositivos. |
publishDate |
2019 |
dc.date.accessioned.fl_str_mv |
2019-06-29T02:36:49Z |
dc.date.issued.fl_str_mv |
2019 |
dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/doctoralThesis |
format |
doctoralThesis |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
http://hdl.handle.net/10183/196430 |
dc.identifier.nrb.pt_BR.fl_str_mv |
001095144 |
url |
http://hdl.handle.net/10183/196430 |
identifier_str_mv |
001095144 |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.rights.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS instname:Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) instacron:UFRGS |
instname_str |
Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) |
instacron_str |
UFRGS |
institution |
UFRGS |
reponame_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
collection |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS |
bitstream.url.fl_str_mv |
http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/196430/2/001095144.pdf.txt http://www.lume.ufrgs.br/bitstream/10183/196430/1/001095144.pdf |
bitstream.checksum.fl_str_mv |
120bb0a34120b7ff7271371807d6b7b2 085bf8f5e927ce66bb503ed817deb998 |
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 |
repository.name.fl_str_mv |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFRGS - Universidade Federal do Rio Grande do Sul (UFRGS) |
repository.mail.fl_str_mv |
lume@ufrgs.br||lume@ufrgs.br |
_version_ |
1797064699809890304 |