Interaction of as impurities with 30° partial dislocations in Si : an ab initio investigation

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Antonelli, Alex, 1954-
Data de Publicação: 2002
Tipo de documento: Artigo
Texto Completo: https://hdl.handle.net/20.500.12733/1664840
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network_name_str Repositório da Produção Científica e Intelectual da Unicamp
title Interaction of as impurities with 30° partial dislocations in Si : an ab initio investigation
author Antonelli, Alex, 1954-
topic Silício
Deslocamentos em cristais
Falhas de empilhamento
Arsênio
Silicon
Dislocations in crystals
Stacking fault
Arsenic
Artigo original
publishDate 2002
format article
url https://hdl.handle.net/20.500.12733/1664840
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