Transistor por efeito de campo e fotocondutor de poli(o-metoxianilina).

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Onmori,Roberto K.
Data de Publicação: 1998
Outros Autores: Mattoso,Luiz Henrique C., Faria,Roberto M.
Tipo de documento: Artigo
Idioma: por
Título da fonte: Polímeros (São Carlos. Online)
Texto Completo: http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0104-14281998000100006
Resumo: RESUMO: Esse artigo apresenta resultados sobre fabricação e caracterização de um transistor por efeito de campo (FET) tendo a poli(o-metoxianilina) - POMA - como material ativo. Uma adaptação de processos de microeletrônica tradicional foi feita para a confecção desse dispositivo. O FET desenvolvido apresentou modulação por voltagem de porta Vg, mas operou mesmo em Vg=0. A corrente de dreno I D aumentou significativamente sob iluminação na região da radiação visível e infravermelho próximo, mostrando o caráter fotocondutor da POMA dopada e, portanto, do dispositivo. Um modelo teórico baseado nos mecanismos de condução eletrônica da POMA, e de efeitos de interface metal-polímero foi elaborado, ajustando-se muito bem aos resultados experimentais.
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