Estudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µm

Detalhes bibliográficos
Data de Publicação: 2008
Tipo de documento: Dissertação
Título da fonte: Portal de Dados Abertos da CAPES
id BRCRIS_6e86ca246c7c03612ed308e06d4395b1
network_acronym_str CAPES
network_name_str Portal de Dados Abertos da CAPES
dc.title.pt-BR.fl_str_mv Estudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µm
title Estudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µm
spellingShingle Estudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µm
title_short Estudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µm
title_full Estudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µm
title_fullStr Estudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µm
Estudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µm
title_full_unstemmed Estudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µm
Estudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µm
title_sort Estudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µm
publishDate 2008
format masterThesis
author_role author
dc.publisher.none.fl_str_mv CENTRO UNIVERSITARIO DA FEI
publisher.none.fl_str_mv CENTRO UNIVERSITARIO DA FEI
instname_str CENTRO UNIVERSITARIO DA FEI
reponame_str Portal de Dados Abertos da CAPES
collection Portal de Dados Abertos da CAPES
spelling CAPESPortal de Dados Abertos da CAPESEstudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µmEstudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µmEstudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µmEstudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µmEstudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µmEstudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µmEstudo da Transcondutância e da Razão da Transcondutância sobre a Corrente de Dreno do SOI nMOSFET de Porta em Formato de Anel Circular utilizando Tecnologia SOI CMOS de 0,13 µm2008masterThesisauthorCENTRO UNIVERSITARIO DA FEICENTRO UNIVERSITARIO DA FEICENTRO UNIVERSITARIO DA FEIPortal de Dados Abertos da CAPESPortal de Dados Abertos da CAPES
_version_ 1741884124661022720

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