Combinação de heterojunções a base de GaAs com óxidos semicondutores para aplicações em dispositivos optoeletrônicos: 1) GaAs/SnO2, 2) GaAs/ZnO: ressonadores de ondas acústicas de volume
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Data de Publicação: | 2020 |
Tipo de documento: | Tese |
Título da fonte: | Portal de Dados Abertos da CAPES |
Texto Completo: | https://sucupira.capes.gov.br/sucupira/public/consultas/coleta/trabalhoConclusao/viewTrabalhoConclusao.jsf?popup=true&id_trabalho=9239825 |
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