Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID)
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Data de Publicação: | 2015 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Título da fonte: | Portal de Dados Abertos da CAPES |
Texto Completo: | https://sucupira.capes.gov.br/sucupira/public/consultas/coleta/trabalhoConclusao/viewTrabalhoConclusao.jsf?popup=true&id_trabalho=3047980 |
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Caracterização de Filmes a-C:H:Cl e a-C:H:Si:Cl Produzidos por Deposição a Vapor Químico Assistido por Plasma (PECVD) e Deposição e Implantação Iônica por Imersão em Plasma (PIIID) concentração dos elementos presentes. As características de molhabilidade dos filmes foram medidas em um goniômetro, através da análise da interação da gota de um fluído com a superfície dos filmes. Espessuras medidas por perfilômetria foram comparadas a valores teóricos provenientes das constantes ópticas. Os resultados do XPS demonstraram a presença de cloro nos filmes, a concentração máxima obtida foi de ~ 8% at. Houve um aumento na taxa de deposição dos filmes em função do aumento da proporç Thin film, PECVD, optical constants, UV / Vis / NIR DIEGO ROSSI |
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concentração dos elementos presentes. As características de molhabilidade dos filmes foram medidas em um goniômetro, através da análise da interação da gota de um fluído com a superfície dos filmes. Espessuras medidas por perfilômetria foram comparadas a valores teóricos provenientes das constantes ópticas. Os resultados do XPS demonstraram a presença de cloro nos filmes, a concentração máxima obtida foi de ~ 8% at. Houve um aumento na taxa de deposição dos filmes em função do aumento da proporç Thin film, PECVD, optical constants, UV / Vis / NIR |
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