Análise da densidade de carga de inversão na condição limiar, em função da temperatura, em UTBB SOI MOSFETS

• Autor(a) principal: Merzbahcer, N. C. C.
• Data de Publicação: 2019
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
• Texto Completo: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/3089
• topic: Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor

Para suprir a crescente demanda de velocidade, desempenho e baixo consumo, a indústria de circuitos integrados tem se desenvolvido de forma agressiva nos últimos anos, consolidando a tecnologia CMOS como fator essencial para o avanço tecnológico desses dispositivos, onde a base já foi o transistor MOSFET. A tecnologia SOI (Silicon-On-Insulator) surgiu como uma alternativa para a redução das capacitâncias parasitárias de fonte e dreno, imunidade à radiação, operação em altas temperaturas e uma melhor inclinação de sublimiar. O transistor SOI UTBB (Ultra-Thin Body and Buried oxide), com corpo e óxido enterrado ultrafinos, é atualmente considerado como uma das opções possíveis para nós tecnológicos abaixo de 20 nm. Isso foi possível pois tornou-se viável alcançar baixas espessuras de óxido enterrado, por sua ótima integração entre os circuitos e por sua menor resistência térmica do óxido enterrado mais fino, bem como ao seu melhor controle eletrostático. Porém, a constante miniaturização nas dimensões físicas dos transistores faz com que estes sofram com os efeitos de canal curto (Short Channel Effects – SCE). Neste trabalho, é realizado um estudo sobre a densidade de carga de inversão na condição de limiar para temperaturas na faixa de 300 a 425K. Estudar a influência da temperatura em UTBBs é importante pois, estes dispositivos podem atingir temperaturas elevadas em condições normais de operação. O estudo é baseado na comparação de valores extraídos de simulações numéricas com modelos analíticos consolidados na literatura. Os resultados obtidos são analisados criticamente de forma a obter um modelo para a carga de inversão que tenha uma boa relação entre a precisão e a simplicidade do mesmo