Associação série assimétrica de transistores SOI MOS de camada de silício e óxido enterrado uktrafinos (UTBB) para aplicações analógicas de alto desempenho

• Autor(a) principal: D'Oliveira, L. M.
• Data de Publicação: 2020
• Tipo de documento: Tese
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI
• Texto Completo: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/3092
• topic: Transistor de efeito de campo de metal-óxido semicondutor

Este trabalho apresenta uma análise, realizada através de simulações numéricas bidimensionais, simulações SPICE e caracterizações experimentais, de associações série (SC), implementadas na tecnologia Camada de Silício e Óxido Enterrado Ultrafinos (Ultra-Thin Body and BOX) (UTBB). As associações são constituídas por dois transistores associados em série e conectados pelas portas, com o intuito de melhorar as figuras de mérito analógicas do transistor composto. Na tecnologia UTBB, o controle da tensão de limiar (VT ) por meio da polarização de substrato é uma vantagem para esta estrutura, que se beneficia deste tipo de assimetria entre seus transistores. No caso da Associação Série Assimétrica (Asymmetric Self-Cascode) (A-SC), a tensão de limiar do transistor próximo ao dreno deve ser sempre menor que a VT do transistor próximo à fonte, enquanto a Associação Série Simétrica (Symmetric Self-Cascode) (S-SC) tem componentes de tensão de limiar idêntica. Foram explorados os efeitos de diferentes Plano de Terra (Ground Plane) (GP), comprimentos de canal, polarizações de substrato e suas diferentes combinações no comportamento dos transistores. Foi desenvolvido um método de caracterização DC de associações série através de um código construtor de curvas I-V, o que facilitou a análise experimental de Associação Série (Self-Cascode) (SC) para implementação em novas tecnologias. Comparações entre A-SC, S-SC e transistores únicos foram utilizadas para chegar às conclusões deste projeto. Foi possível observar características analógicas melhores nos dispositivos A-SC, especialmente quando há uma maior diferença entre as VT dos transistores que a compõem