Illuminated to dark ratio improvement in lateral SOI PIN photodiodes at high temperatures
Autor(a) principal: | |
---|---|
Data de Publicação: | 2014 |
Outros Autores: | , , , |
Tipo de documento: | Artigo |
Texto Completo: | https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/1258 |
id |
FEI_48190e0a9c7085dd9208aa0b78b2ecc0 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:repositorio.fei.edu.br:FEI/1258 |
network_name_str |
Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da FEI |
title |
Illuminated to dark ratio improvement in lateral SOI PIN photodiodes at high temperatures |
author |
Novo C. |
author2 |
Giacomini R. Doria R. Afzalian A. Flandre D. |
topic |
photodiode SOI temperature |
publishDate |
2014 |
format |
article |
url |
https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/1258 |
instname_str |
Centro Universitário da Fundação Educacional Inaciana (FEI) |
instacron_str |
FEI |