Surface Potential-Based Drain Current Analytical Model for Triple-Gate Junctionless Nanowire Transistors

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: TREVISOLI, R D
Data de Publicação: 2012
Outros Autores: DORIA, R. T., DE SOUZA, Michelly, DAS, Samaresh, FERAIN, I., PAVANELLO, Marcelo A.
Tipo de documento: Artigo
Texto Completo: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/1097
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title Surface Potential-Based Drain Current Analytical Model for Triple-Gate Junctionless Nanowire Transistors
author TREVISOLI, R D
author2 DORIA, R. T.
DE SOUZA, Michelly
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FERAIN, I.
PAVANELLO, Marcelo A.
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