Investiga????o de intera??oes hiperfinas em sil??cio puro e sil??cio NTD pela t??cnica de correla????o angular gama-gama perturbada

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: CORDEIRO, MOACIR R.
Data de Publicação: 2007
Tipo de documento: Dissertação
Título da fonte: Repositório Institucional do IPEN
Texto Completo: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/11499
Resumo: O presente trabalho realiza a investiga????o de intera????es hiperfinas em amostras de sil??cio monocristalino atrav??s da t??cnica de Correla????o Angular γ-γ Perturbada (CAP), baseada em intera????es hiperfinas. Para a realiza????o das medidas, utilizou-se n??cleos de prova radioativos de 111In -> 111Cd que decaem atrav??s da cascata gama 177-245keV com n??vel intermedi??rio de 245keV (I = 5+/2 , Q = 0.83b, T1/2 = 84.5ns). As amostras foram confeccionadas utilizando v??rios m??todos de inser????o de n??cleos de prova, possibilitando maior compreens??o acerca dos impactos gerados por cada um destes m??todos nas medidas CAP. As t??cnicas de implanta????o i??nica, difus??o e evapora????o foram cuidadosamente investigadas ressaltando-se suas particularidades. Realizou-se ent??o, um estudo acerca das concentra????es de defeitos intr??nsecos em fun????o de v??rios processos de tratamento t??rmico. Finalmente, foi feita uma an??lise comparativa para os v??rios m??todos de inser????o dos n??cleos de prova. Realizou-se, tamb??m, medidas CAP em sil??cio monocristalino dopado com f??sforo atrav??s do processo NTD. A alt??ssima uniformidade de dopagem associada a este m??todo aliada ?? inexist??ncia de medidas para este tipo de material ressaltam a relev??ncia dos resultados obtidos. Estes resultados s??o ent??o comparados com os resultados da literatura para amostras dopadas atrav??s de m??todos convencionais apresentando-se as respectivas conclus??es.
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