Densifica????o e propriedades diel??tricas do CaCusub(3)Tisub(4)Osub(12)

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: PORFIRIO, T.C.
Data de Publicação: 2016
Outros Autores: MUCCILLO, E.N.S., CONGRESSO BRASILEIRO DE CERAMICA, 60.
Tipo de documento: Artigo de conferência
Título da fonte: Repositório Institucional do IPEN
Texto Completo: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/26751
Resumo: A tecnologia de capacitores cer??micos compreende uma variedade de produtos baseados em materiais diel??tricos destinados ?? armazenagem de energia el??trica, fazendo com que tais componentes sejam de grande import??ncia na ind??stria eletr??nica. Para tais aplica????es, as principais propriedades que estes materiais devem possuir s??o elevada permissividade el??trica ????? (acima de 103) e baixas perdas diel??tricas, al??m de serem est??veis em um amplo intervalo de temperatura e frequ??ncia. Neste trabalho, p??s de CCTO foram preparados pelo m??todo de rea????o em estado s??lido e, fra????es equivalentes a 0,5 e 1% em mol de LiF foram adicionados ao material sintetizado com o objetivo de diminuir a temperatura de sinteriza????o dos compactos e assim, minimizar o desvio estequiom??trico de cobre nas cer??micas. Os resultados indicaram a possibilidade de obter materiais com densidade relativa acima de 91% da densidade te??rica quando sinterizados em temperaturas abaixo daquelas usualmente empregadas. O tamanho e o formato dos gr??os das amostras contendo aditivo s??o mais homog??neos do que aqueles observados nas amostras puras. Al??m disto, o LiF promoveu diminui????o dos valores de perdas diel??tricas sem que houvesse preju??zo nos valores de permissividade el??trica (valores acima de 30.000).
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