Medidas de velocidade de arrastamento de eletrons no isobutano puro
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2010 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Título da fonte: | Repositório Institucional do IPEN |
Texto Completo: | http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/9525 |
Resumo: | A velocidade de arrastamento de el??trons caracteriza a condutividade el??trica de um g??s fracamente ionizado e ?? um dos mais importantes par??metros de transporte para a simula????o e modelagem de detectores de radia????o e de descargas em plasmas. Neste trabalho s??o apresentados os resultados de velocidade de arrastamento de el??trons, em fun????o do campo el??trico reduzido, obtidos para o nitrog??nio e isobutano pela t??cnica de Townsend pulsada. Em uma c??mara de geometria planar, os el??trons prim??rios foram liberados de um catodo de alum??nio devido ?? incid??ncia de um feixe de laser de nitrog??nio e acelerados em dire????o ao anodo (placa de vidro de elevada resistividade) por meio de um campo el??trico uniforme. Os r??pidos sinais el??tricos (da ordem de nanossegundos) gerados foram digitalizados em um oscilosc??pio de 1 GHz de largura de banda para medidas do tempo de tr??nsito dos el??trons e c??lculo das velocidades de arrastamento em diferentes dist??ncias entre anodo e catodo. Para validar este m??todo, as medidas foram feitas inicialmente no nitrog??nio puro em uma regi??o de campo el??trico reduzido de 148 a 194 Td. Os resultados mostraram um excelente acordo com aqueles encontrados na literatura para este g??s, amplamente investigado. As medidas de velocidade de deriva de el??trons no isobutano puro foram realizadas em fun????o do campo el??trico reduzido de 190 a 211 Td. Os resultados concordaram dentro dos erros experimentais com os valores simulados com o programa Imonte (vers??o 4.5) e com os resultados recentemente obtidos pelo nosso grupo no intervalo de campo el??trico reduzido investigado neste trabalho. |
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