Controle de propriedades multiferroicas em filmes finos ??xidos dopados com ??ons terras raras para aplica????o como dispositivos l??gicos e de mem??ria

• Autor(a) principal: BONTURIM, EVERTON
• Data de Publicação: 2017
• Tipo de documento: Tese
• Título da fonte: Repositório Institucional do IPEN
• Texto Completo: http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/28033
• topic: oxygen compounds; iron base alloys; bismuth alloys; bismuth additions; strontium titanates; rare earths; thin films; ferromagnetic materials; electromagnetic fields; parametric instabilities; x-ray diffraction; electromagnetic testing; photoresistors; trigonal lattices; comparative evaluations

Nas ??ltimas d??cadas, o consumo de dispositivos eletr??nicos e a alta demanda por armazenamento de dados tem mostrado grandes oportunidades para a cria????o de novas tecnologias que garantam as necessidades mundiais na ??rea de computa????o e desenvolvimento. Alguns materiais multiferroicos tem sido amplamente estudados e o BiFeO3, considerado o ??nico material multiferroico em temperatura ambiente, ganhou destaque como candidato para produ????o de dispositivos l??gicos e de mem??ria. O uso de t??cnicas de crescimento como a deposi????o por laser pulsado permitiu a produ????o de filmes finos de BiFeO3 com elevado controle de qualidade. Heteroestruturas de filmes multiferroicos de BiFeO3 e LaBiFeO3 foram crescidas com diferentes espessuras sobre substratos de SrTiO3(100), DyScO3(110) e SrTiO3/Si(100) para avalia????o e teste de suas propriedades el??tricas e magn??ticas. Filmes ferromagn??ticos de Co0,9Fe0,1 foram depositados por sputtering sobre os filmes multiferroicos para avalia????o da intera????o interfacial entre ordenamentos magn??ticos. T??cnicas como fotolitografia foram utilizadas para padroniza????o de microdispositivos gravados sobre as amostras. Tanto os filmes finos de BiFeO3 como os de LaBiFeO3 foram crescidos epitaxialmente sobre os substratos j?? cobertos com uma camada buffer de SrRuO3 usado como contato el??trico inferior. A estrutura cristalina rombo??drica das ferritas de bismuto foi confirmada pelos dados de difra????o de raios X, bem como a manuten????o de tens??o estrutural causada pela rede cristalina do substrato para amostras de 20 nm. Os valores de coeficiente do tensor piezel??trico d33 foram da ordem de 0,15 V (∼ 60 kV.cm-2) para amostras com 20 nm de espessura enquanto que os valores de voltagem coerciva para as an??lises de histerese el??trica foram da ordem de 0,5 V para as mesmas amostras. A rela????o de coercividade el??trica com a espessura corresponde ao perfil encontrado na literatura pela rela????o E≈d-2/3. As amostras de CoFe/BFO e CoFe/LBFO depositadas em diferentes substratos apresentam acoplamento interfacial entre ordenamento ferromagn??tico e antiferromagn??tico com momento ferromagn??tico de rede.