Desenvolvimento e caracterização de solda direta entre semicondutores.

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Antonio Carlos Gracias
Data de Publicação: 1999
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA
Texto Completo: http://www.bd.bibl.ita.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=2339
Resumo: Esta tese descreve um estudo de adesão direta entre semicondutores. Foi realizada adesão entre silício e silício, silício e fosfeto de índio, e foram feitas tentativas de aderir silício a lâminas de PbTe fabricadas no Laboratório Associado de Sensores (LAS) do Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). A eficiência de adesão (área aderida/área total) e a força de adesão por unidade de área aderida foram medidas, para vários métodos de preparação das superfícies, incluindo banhos úmidos e tratamento por plasma. Foram estabelecidos métodos para obter sistematicamente 100% de área aderida, tanto para Si/Si quanto Si/InP. A força de adesão foi medida em uma máquina de ensaios mecânicos, e a área aderida foi medida por imagens de infravermelho próximo. Este trabalho também demonstra a detecção de defeitos na interface por condução de calor usando uma técnica fotoacústica, com o objetivo de propiciar um método para caracterizar a adesão de materiais opacos ao infravermelho. A curva característica de corrente em função da voltagem de diodos obtidos por solda direta de silício p a silício n foi medida.
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