Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Vale, Agamenon Lima do
Data de Publicação: 2016
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás)
Texto Completo: http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/3603
Resumo: Neste trabalho foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga em um semicondutor dopado tipo n. Para tanto, utilizamos uma equação semi-clássica baseada na segunda lei de Newton. A aplicação se deu no semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) nas fases wurtzite (WZ) e zincblende (ZB), dopado tipo n e submetido a campos elétricos de baixa intensidade. A dependência destas propriedades de transporte em função da intensidade do campo elétrico e da temperatura foi analisada. O principal resultado obtido é que a mobilidade na fase WZ é maior que na fase ZB.
id PUC_GO_276fc654a1953b980bb685bd22c6b695
oai_identifier_str oai:ambar:tede/3603
network_acronym_str PUC_GO
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás)
repository_id_str 6593
spelling Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutoresSemicondutores, sulfeto de zinco, mobilidade.ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE PRODUCAONeste trabalho foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga em um semicondutor dopado tipo n. Para tanto, utilizamos uma equação semi-clássica baseada na segunda lei de Newton. A aplicação se deu no semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) nas fases wurtzite (WZ) e zincblende (ZB), dopado tipo n e submetido a campos elétricos de baixa intensidade. A dependência destas propriedades de transporte em função da intensidade do campo elétrico e da temperatura foi analisada. O principal resultado obtido é que a mobilidade na fase WZ é maior que na fase ZB.In this work the drift velocity, the displacement and the mobility of the charge carriers in a n-type doped semiconductor were theoretically deduced. For this, we use a semi-classical equation based on Newton’s second law. The application was carried out in the Zinc Sulfide semiconductor (ZnS) in the wurtzite (WZ) and zincblende (ZB) phases, doped type n and submitted to low intensity electric fields. The dependence of the transport properties as a function of the electric field strength and the temperature was analyzed. The main result obtained is that the mobility in the WZ phase is greater than in the ZB phase.Pontifícia Universidade Católica de GoiásEscola de Engenharia::Curso de Engenharia de ProduçãoBrasilPUC GoiásPrograma de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e SistemasRodrigues, Clóves Gonçalveshttp://lattes.cnpq.br/7962325017303457Calixto, Wesley Pachecohttp://lattes.cnpq.br/9073478192027867Menezes, José Elmo dehttp://lattes.cnpq.br/9654702573176547Vale, Agamenon Lima do2017-02-23T18:09:50Z2016-12-15info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfVale, Agamenon Lima do. Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores. 2016. 66 f. Dissertação (Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas) - Pontifícia Universidade Católica de Goiás, Goiânia - GO.http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/3603porinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás)instname:Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO)instacron:PUC_GO2017-02-24T04:00:49Zoai:ambar:tede/3603Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://tede2.pucgoias.edu.br:8080/http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/oai/requesttede@pucgoias.edu.br||tede@pucgoias.edu.bropendoar:65932017-02-24T04:00:49Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás) - Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO)false
dc.title.none.fl_str_mv Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores
title Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores
spellingShingle Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores
Vale, Agamenon Lima do
Semicondutores, sulfeto de zinco, mobilidade.
ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE PRODUCAO
title_short Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores
title_full Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores
title_fullStr Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores
title_full_unstemmed Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores
title_sort Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores
author Vale, Agamenon Lima do
author_facet Vale, Agamenon Lima do
author_role author
dc.contributor.none.fl_str_mv Rodrigues, Clóves Gonçalves
http://lattes.cnpq.br/7962325017303457
Calixto, Wesley Pacheco
http://lattes.cnpq.br/9073478192027867
Menezes, José Elmo de
http://lattes.cnpq.br/9654702573176547
dc.contributor.author.fl_str_mv Vale, Agamenon Lima do
dc.subject.por.fl_str_mv Semicondutores, sulfeto de zinco, mobilidade.
ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE PRODUCAO
topic Semicondutores, sulfeto de zinco, mobilidade.
ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE PRODUCAO
description Neste trabalho foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga em um semicondutor dopado tipo n. Para tanto, utilizamos uma equação semi-clássica baseada na segunda lei de Newton. A aplicação se deu no semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) nas fases wurtzite (WZ) e zincblende (ZB), dopado tipo n e submetido a campos elétricos de baixa intensidade. A dependência destas propriedades de transporte em função da intensidade do campo elétrico e da temperatura foi analisada. O principal resultado obtido é que a mobilidade na fase WZ é maior que na fase ZB.
publishDate 2016
dc.date.none.fl_str_mv 2016-12-15
2017-02-23T18:09:50Z
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/masterThesis
format masterThesis
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv Vale, Agamenon Lima do. Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores. 2016. 66 f. Dissertação (Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas) - Pontifícia Universidade Católica de Goiás, Goiânia - GO.
http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/3603
identifier_str_mv Vale, Agamenon Lima do. Caracterização do desempenho do semicondutor Sulfeto de Zinco (ZnS) na aplicação em dispositivos semicondutores. 2016. 66 f. Dissertação (Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas) - Pontifícia Universidade Católica de Goiás, Goiânia - GO.
url http://tede2.pucgoias.edu.br:8080/handle/tede/3603
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Pontifícia Universidade Católica de Goiás
Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção
Brasil
PUC Goiás
Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas
publisher.none.fl_str_mv Pontifícia Universidade Católica de Goiás
Escola de Engenharia::Curso de Engenharia de Produção
Brasil
PUC Goiás
Programa de Pós-Graduação STRICTO SENSU em Engenharia de Produção e Sistemas
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás)
instname:Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO)
instacron:PUC_GO
instname_str Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO)
instacron_str PUC_GO
institution PUC_GO
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás)
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás)
repository.name.fl_str_mv Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_GOAIS (TEDE-PUC Goiás) - Pontifícia Universidade Católica de Goiás (PUC-GO)
repository.mail.fl_str_mv tede@pucgoias.edu.br||tede@pucgoias.edu.br
_version_ 1796791395946594304

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