Construção de um sistema automatizado para caracterização elétrica de semicondutores pelo método de Van Der Pauw
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Data de Publicação: | 2012 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da PUC_RS |
Texto Completo: | http://tede2.pucrs.br/tede2/handle/tede/3215 |
Resumo: | In Semiconductor materials the electrical conduction occurs through the movement of negative (electrons) or positive (formed by the holes left by the electrons) charges. Thus, the Hall effect in the semiconductor materials may inform the type and density of charge carriers in the sample and the mobility of these charges. In addition to these quantities, other characteristics of the material as the width of the band gap, and electrical conductivity can indicate the quality and purity of the material structure. In this work, an automated system for resistivity and Hall effect measurement in non-standard dimensions samples of semiconductor materials was build. These kinds of samples are found in typical research laboratories. We used the Van der Pauw method who despises the format of the sample surface, since when the sample thickness is known. A cryogenic system involves the sampler and allows measurements at temperatures of -60 to +70 ° C. For automation of the resistivity, number of charge carriers and mobility measurements, a program was developed for system control and data acquisition. A Keithley® Instruments source with voltage and current meters was coupled to the system. The measurements performed on standard samples show that the system meets the requirements of NIST for semiconductor materials, with error less than 2%. |
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In addition to these quantities, other characteristics of the material as the width of the band gap, and electrical conductivity can indicate the quality and purity of the material structure. In this work, an automated system for resistivity and Hall effect measurement in non-standard dimensions samples of semiconductor materials was build. These kinds of samples are found in typical research laboratories. We used the Van der Pauw method who despises the format of the sample surface, since when the sample thickness is known. A cryogenic system involves the sampler and allows measurements at temperatures of -60 to +70 ° C. For automation of the resistivity, number of charge carriers and mobility measurements, a program was developed for system control and data acquisition. A Keithley® Instruments source with voltage and current meters was coupled to the system. The measurements performed on standard samples show that the system meets the requirements of NIST for semiconductor materials, with error less than 2%.Nos materiais semicondutores a condução elétrica ocorre através do movimento de cargas negativas (elétrons) ou positivas (formadas por lacunas deixadas pelos elétrons). Assim, o efeito Hall nos materiais semicondutores poderá informar qual o tipo e a densidade dos portadores de carga na amostra e a mobilidade destas cargas. Além dessas grandezas, outras características do material como a largura da banda proibida e condutividade elétrica podem indicar a qualidade estrutural e a pureza do material. Neste trabalho foi construído um sistema automatizado para medições de resistividade, mobilidade e número de portadores de carga em amostras de materiais semicondutores de dimensões não padronizadas, ou seja, amostras típicas encontradas em laboratórios de pesquisa. Foi utilizado o método de Van der Pauw que despreza o formato superficial da amostra, desde que tenham espessura conhecida. Um sistema criogênico que envolve o porta amostras e assim permite a realização de medidas em temperaturas de -60 até +70 ºC. Para a automação das medidas de resistividade, número de portadores de carga e mobilidade foi desenvolvido um programa para o sistema de controle e aquisição de dados. Uma fonte com medidores de corrente e tensão da Keithley® Instruments foi acoplada ao sistema. Medidas realizadas em amostras padrão comprovam que o sistema preenche os requisitos do National Institute of Standards and Technology (NIST) para materiais semicondutores, apresentando erro inferior a 2%.Made available in DSpace on 2015-04-14T13:58:54Z (GMT). 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