Light-emitting thin-film field-effect transistors

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Stallinga, Peter
Data de Publicação: 2006
Outros Autores: Gomes, Henrique L.
Tipo de documento: Artigo
Idioma: eng
Título da fonte: Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal (Repositórios Cientìficos)
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10400.1/6623
Resumo: A model for thin-film field-effect transistors in which the active layer is treated as purely two-dimensional is applied to ambipolar devices that have shown to be light emitting. This results in an adequate description of the electrical characteristics.
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