Análise computacional de defeitos intersticiais em nanocristais de Si

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Ferreira, Artur Filipe Sucena Martins
Data de Publicação: 2012
Tipo de documento: Dissertação
Idioma: por
Título da fonte: Repositório Científico de Acesso Aberto de Portugal (Repositórios Cientìficos)
Texto Completo: http://hdl.handle.net/10773/10133
Resumo: Neste trabalho são estudadas diferentes propriedades de defeitos intersticiais em silício cristalino e nanocristais de silílico. Os modelos são baseados na teoria do funcional da densidade. Numa fase inicial são feitos testes de convergência para escolher parâmetros de modelação, em particular as funções de base. Para clarificar a identidade de alguns centros de origem intersticial, são estudados vários modelos de defeitos tri- e tetra-intersticiais numa supercélula de silício. São estudadas a geometria dos defeitos representados por estes modelos, bem como a sua energia de formação e níveis elétricos. Posteriormente, são calculados a população de Mulliken e o acoplamento hiperfino. Os mesmos cálculos são feitos para o carbono interstícial como forma de estudar a validade do modelo. Com o objetivo de estudar a segregação e estabilidade de autointerstícios em nanocristais de silício, para diferentes posições de um defeito autointersticial em nanocristais de silício de diferentes tamanhos é calculada a energia de formação do defeito.
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