Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1)

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Martínez,Ana María
Data de Publicação: 2018
Outros Autores: Aguirre,Myriam Haydee, D´Elía,Raúl, García,Javier Núñez, Geraci,Adriano, Tolley,Alfredo, Heredia,Eduardo, Trigubó,Alicia Beatriz
Tipo de documento: Artigo
Idioma: spa
Título da fonte: Matéria (Rio de Janeiro. Online)
Texto Completo: http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1517-70762018000200516
Resumo: RESUMEN El Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1) y el ZnTe son semiconductores de la familia II-VI, que se usan en forma monocristalina porque así poseen mejores propiedades estructurales y eléctricas. El CZT y el ZnTe deben poseer alta calidad cristalina y eléctrica para ser usados, el primero en detectores de rayos X y γ, y como sustratos ordenadores de películas epitaxiales aptas para la detección de la radiación IR y el segundo para la fabricación de diodos láser y emisores de luz de alta intensidad, ambos casos en el verde. En este trabajo el CZT se sintetizó por el método de Bridgman, bajo un gradiente de temperatura de 10ºC/cm a velocidades de 1,66 mm/h y 3,22 mm/h para diferentes concentraciones de Zn. Por otro lado, el ZnTe se sintetizó por transporte físico en fase vapor bajo un gradiente de temperatura de 6ºC/cm a una velocidad de 6mm/día. Por medio de revelado químico y microscopía electrónica de transmisión convencional TEM y de alta resolución (HRTEM) se estudió la calidad cristalina de ambos materiales. Se observó que los lingotes de CZT tenían una densidad de dislocaciones promedio similar en todos los lingotes crecidos en ambas velocidades y para todas las concentraciones mientras que el ZnTe mostró una menor densidad de dislocaciones. Las micrografías de TEM mostraron en todos estos materiales un orden estructural importante. Estas características indicaron que la calidad cristalina del CZT y del ZnTe era adecuada para fabricar dispositivos optoelectrónicos. También se midió la Conductividad Eléctrica, Difusividad Térmica, Calor Específico y Coeficiente Seebeck en función de la temperatura en estos materiales. Se analizó la influencia de las propiedades estructurales en sus propiedades físicas con el objeto de determinar la relación con los defectos cristalinos observados.
id RLAM-1_8f76511fab3467c16c86b112cd14b608
oai_identifier_str oai:scielo:S1517-70762018000200516
network_acronym_str RLAM-1
network_name_str Matéria (Rio de Janeiro. Online)
repository_id_str
spelling Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1)semiconductores monocristalinos II-VIrevelado químicopropiedades físicasHRTEMLRTEMRESUMEN El Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1) y el ZnTe son semiconductores de la familia II-VI, que se usan en forma monocristalina porque así poseen mejores propiedades estructurales y eléctricas. El CZT y el ZnTe deben poseer alta calidad cristalina y eléctrica para ser usados, el primero en detectores de rayos X y γ, y como sustratos ordenadores de películas epitaxiales aptas para la detección de la radiación IR y el segundo para la fabricación de diodos láser y emisores de luz de alta intensidad, ambos casos en el verde. En este trabajo el CZT se sintetizó por el método de Bridgman, bajo un gradiente de temperatura de 10ºC/cm a velocidades de 1,66 mm/h y 3,22 mm/h para diferentes concentraciones de Zn. Por otro lado, el ZnTe se sintetizó por transporte físico en fase vapor bajo un gradiente de temperatura de 6ºC/cm a una velocidad de 6mm/día. Por medio de revelado químico y microscopía electrónica de transmisión convencional TEM y de alta resolución (HRTEM) se estudió la calidad cristalina de ambos materiales. Se observó que los lingotes de CZT tenían una densidad de dislocaciones promedio similar en todos los lingotes crecidos en ambas velocidades y para todas las concentraciones mientras que el ZnTe mostró una menor densidad de dislocaciones. Las micrografías de TEM mostraron en todos estos materiales un orden estructural importante. Estas características indicaron que la calidad cristalina del CZT y del ZnTe era adecuada para fabricar dispositivos optoelectrónicos. También se midió la Conductividad Eléctrica, Difusividad Térmica, Calor Específico y Coeficiente Seebeck en función de la temperatura en estos materiales. Se analizó la influencia de las propiedades estructurales en sus propiedades físicas con el objeto de determinar la relación con los defectos cristalinos observados.Laboratório de Hidrogênio, Coppe - Universidade Federal do Rio de Janeiroem cooperação com a Associação Brasileira do Hidrogênio, ABH22018-01-01info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersiontext/htmlhttp://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1517-70762018000200516Matéria (Rio de Janeiro) v.23 n.2 2018reponame:Matéria (Rio de Janeiro. Online)instname:Matéria (Rio de Janeiro. Online)instacron:RLAM10.1590/s1517-707620180002.0441info:eu-repo/semantics/openAccessMartínez,Ana MaríaAguirre,Myriam HaydeeD´Elía,RaúlGarcía,Javier NúñezGeraci,AdrianoTolley,AlfredoHeredia,EduardoTrigubó,Alicia Beatrizspa2018-07-19T00:00:00Zoai:scielo:S1517-70762018000200516Revistahttp://www.materia.coppe.ufrj.br/https://old.scielo.br/oai/scielo-oai.php||materia@labh2.coppe.ufrj.br1517-70761517-7076opendoar:2018-07-19T00:00Matéria (Rio de Janeiro. Online) - Matéria (Rio de Janeiro. Online)false
dc.title.none.fl_str_mv Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1)
title Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1)
spellingShingle Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1)
Martínez,Ana María
semiconductores monocristalinos II-VI
revelado químico
propiedades físicas
HRTEM
LRTEM
title_short Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1)
title_full Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1)
title_fullStr Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1)
title_full_unstemmed Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1)
title_sort Propiedades físicas y cristalinas del Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1)
author Martínez,Ana María
author_facet Martínez,Ana María
Aguirre,Myriam Haydee
D´Elía,Raúl
García,Javier Núñez
Geraci,Adriano
Tolley,Alfredo
Heredia,Eduardo
Trigubó,Alicia Beatriz
author_role author
author2 Aguirre,Myriam Haydee
D´Elía,Raúl
García,Javier Núñez
Geraci,Adriano
Tolley,Alfredo
Heredia,Eduardo
Trigubó,Alicia Beatriz
author2_role author
author
author
author
author
author
author
dc.contributor.author.fl_str_mv Martínez,Ana María
Aguirre,Myriam Haydee
D´Elía,Raúl
García,Javier Núñez
Geraci,Adriano
Tolley,Alfredo
Heredia,Eduardo
Trigubó,Alicia Beatriz
dc.subject.por.fl_str_mv semiconductores monocristalinos II-VI
revelado químico
propiedades físicas
HRTEM
LRTEM
topic semiconductores monocristalinos II-VI
revelado químico
propiedades físicas
HRTEM
LRTEM
description RESUMEN El Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 1) y el ZnTe son semiconductores de la familia II-VI, que se usan en forma monocristalina porque así poseen mejores propiedades estructurales y eléctricas. El CZT y el ZnTe deben poseer alta calidad cristalina y eléctrica para ser usados, el primero en detectores de rayos X y γ, y como sustratos ordenadores de películas epitaxiales aptas para la detección de la radiación IR y el segundo para la fabricación de diodos láser y emisores de luz de alta intensidad, ambos casos en el verde. En este trabajo el CZT se sintetizó por el método de Bridgman, bajo un gradiente de temperatura de 10ºC/cm a velocidades de 1,66 mm/h y 3,22 mm/h para diferentes concentraciones de Zn. Por otro lado, el ZnTe se sintetizó por transporte físico en fase vapor bajo un gradiente de temperatura de 6ºC/cm a una velocidad de 6mm/día. Por medio de revelado químico y microscopía electrónica de transmisión convencional TEM y de alta resolución (HRTEM) se estudió la calidad cristalina de ambos materiales. Se observó que los lingotes de CZT tenían una densidad de dislocaciones promedio similar en todos los lingotes crecidos en ambas velocidades y para todas las concentraciones mientras que el ZnTe mostró una menor densidad de dislocaciones. Las micrografías de TEM mostraron en todos estos materiales un orden estructural importante. Estas características indicaron que la calidad cristalina del CZT y del ZnTe era adecuada para fabricar dispositivos optoelectrónicos. También se midió la Conductividad Eléctrica, Difusividad Térmica, Calor Específico y Coeficiente Seebeck en función de la temperatura en estos materiales. Se analizó la influencia de las propiedades estructurales en sus propiedades físicas con el objeto de determinar la relación con los defectos cristalinos observados.
publishDate 2018
dc.date.none.fl_str_mv 2018-01-01
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1517-70762018000200516
url http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S1517-70762018000200516
dc.language.iso.fl_str_mv spa
language spa
dc.relation.none.fl_str_mv 10.1590/s1517-707620180002.0441
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv text/html
dc.publisher.none.fl_str_mv Laboratório de Hidrogênio, Coppe - Universidade Federal do Rio de Janeiro
em cooperação com a Associação Brasileira do Hidrogênio, ABH2
publisher.none.fl_str_mv Laboratório de Hidrogênio, Coppe - Universidade Federal do Rio de Janeiro
em cooperação com a Associação Brasileira do Hidrogênio, ABH2
dc.source.none.fl_str_mv Matéria (Rio de Janeiro) v.23 n.2 2018
reponame:Matéria (Rio de Janeiro. Online)
instname:Matéria (Rio de Janeiro. Online)
instacron:RLAM
instname_str Matéria (Rio de Janeiro. Online)
instacron_str RLAM
institution RLAM
reponame_str Matéria (Rio de Janeiro. Online)
collection Matéria (Rio de Janeiro. Online)
repository.name.fl_str_mv Matéria (Rio de Janeiro. Online) - Matéria (Rio de Janeiro. Online)
repository.mail.fl_str_mv ||materia@labh2.coppe.ufrj.br
_version_ 1752126690769764352