Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônica

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Mazini,Melânia Cristina
Data de Publicação: 2010
Outros Autores: Sambrano,Julio Ricardo, Cavalheiro,Alberto Adriano, Leite,Douglas Marcel Gonçalves, Silva,José Humberto Dias da
Tipo de documento: Artigo
Idioma: por
Título da fonte: Química Nova (Online)
Texto Completo: http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0100-40422010000400013
Resumo: A computational method to simulate the changes in the electronic structure of Ga1-xMn xN was performed in order to improve the understanding of the indirect contribution of Mn atoms. This periodic quantum-mechanical method is based on density functional theory at B3LYP level. The electronic structures are compared with experimental data of the absorption edge of the GaMnN. It was observed that the indirect influence of Mn through the structural parameters can account for the main part of the band gap variation for materials in the diluted regime (x<0.08), and is still significant for higher compositions (x~0.18).
id SBQ-3_d0f7d824daf4bab077a35ff7d18a233a
oai_identifier_str oai:scielo:S0100-40422010000400013
network_acronym_str SBQ-3
network_name_str Química Nova (Online)
repository_id_str
spelling Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônicaGaNdiluted magnetic semiconductor (DMS)DFTA computational method to simulate the changes in the electronic structure of Ga1-xMn xN was performed in order to improve the understanding of the indirect contribution of Mn atoms. This periodic quantum-mechanical method is based on density functional theory at B3LYP level. The electronic structures are compared with experimental data of the absorption edge of the GaMnN. It was observed that the indirect influence of Mn through the structural parameters can account for the main part of the band gap variation for materials in the diluted regime (x<0.08), and is still significant for higher compositions (x~0.18).Sociedade Brasileira de Química2010-01-01info:eu-repo/semantics/articleinfo:eu-repo/semantics/publishedVersiontext/htmlhttp://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0100-40422010000400013Química Nova v.33 n.4 2010reponame:Química Nova (Online)instname:Sociedade Brasileira de Química (SBQ)instacron:SBQ10.1590/S0100-40422010000400013info:eu-repo/semantics/openAccessMazini,Melânia CristinaSambrano,Julio RicardoCavalheiro,Alberto AdrianoLeite,Douglas Marcel GonçalvesSilva,José Humberto Dias dapor2010-06-02T00:00:00Zoai:scielo:S0100-40422010000400013Revistahttps://www.scielo.br/j/qn/ONGhttps://old.scielo.br/oai/scielo-oai.phpquimicanova@sbq.org.br1678-70640100-4042opendoar:2010-06-02T00:00Química Nova (Online) - Sociedade Brasileira de Química (SBQ)false
dc.title.none.fl_str_mv Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônica
title Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônica
spellingShingle Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônica
Mazini,Melânia Cristina
GaN
diluted magnetic semiconductor (DMS)
DFT
title_short Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônica
title_full Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônica
title_fullStr Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônica
title_full_unstemmed Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônica
title_sort Efeitos da adição de átomos de Mn na rede do GaN via métodos de estrutura eletrônica
author Mazini,Melânia Cristina
author_facet Mazini,Melânia Cristina
Sambrano,Julio Ricardo
Cavalheiro,Alberto Adriano
Leite,Douglas Marcel Gonçalves
Silva,José Humberto Dias da
author_role author
author2 Sambrano,Julio Ricardo
Cavalheiro,Alberto Adriano
Leite,Douglas Marcel Gonçalves
Silva,José Humberto Dias da
author2_role author
author
author
author
dc.contributor.author.fl_str_mv Mazini,Melânia Cristina
Sambrano,Julio Ricardo
Cavalheiro,Alberto Adriano
Leite,Douglas Marcel Gonçalves
Silva,José Humberto Dias da
dc.subject.por.fl_str_mv GaN
diluted magnetic semiconductor (DMS)
DFT
topic GaN
diluted magnetic semiconductor (DMS)
DFT
description A computational method to simulate the changes in the electronic structure of Ga1-xMn xN was performed in order to improve the understanding of the indirect contribution of Mn atoms. This periodic quantum-mechanical method is based on density functional theory at B3LYP level. The electronic structures are compared with experimental data of the absorption edge of the GaMnN. It was observed that the indirect influence of Mn through the structural parameters can account for the main part of the band gap variation for materials in the diluted regime (x<0.08), and is still significant for higher compositions (x~0.18).
publishDate 2010
dc.date.none.fl_str_mv 2010-01-01
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/article
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
format article
status_str publishedVersion
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0100-40422010000400013
url http://old.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0100-40422010000400013
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.relation.none.fl_str_mv 10.1590/S0100-40422010000400013
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv text/html
dc.publisher.none.fl_str_mv Sociedade Brasileira de Química
publisher.none.fl_str_mv Sociedade Brasileira de Química
dc.source.none.fl_str_mv Química Nova v.33 n.4 2010
reponame:Química Nova (Online)
instname:Sociedade Brasileira de Química (SBQ)
instacron:SBQ
instname_str Sociedade Brasileira de Química (SBQ)
instacron_str SBQ
institution SBQ
reponame_str Química Nova (Online)
collection Química Nova (Online)
repository.name.fl_str_mv Química Nova (Online) - Sociedade Brasileira de Química (SBQ)
repository.mail.fl_str_mv quimicanova@sbq.org.br
_version_ 1750318110668226560