Simulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétrico
Autor(a) principal: | |
---|---|
Data de Publicação: | 2008 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFSCAR |
Texto Completo: | https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/6463 |
Resumo: | In this work the anodic film growth on metals has been studied, under voltammetric conditions by simulation. It was supposed that: a) the films are ultrathin, i.e., the concentration gradient contributions for the ionic transport throughout the film are much lower than those of the electric field; b) the ionic transport throughout the film obeys an ohmic model where the film ionic resistivity varies during the transient in response to the injection and recombination of recombinant point defects. A new interpretation was given for the Flade potential as a function of the point defect concentration during a voltammetry. The simulations were able to reproduce some behaviors observed experimentally in current density curves versus potential during a voltammetry, such as the peak current density increment and dislocation for more anodic potentials while the sweep rate increases. The simulations have also shown that the point defect concentration passes by a maximum and the resistivity by a minimum in the course of a voltammetry. As regards to the hypotheses assumed during the application of the ohmic model for experimental results the simulations corroborate one of them, namely, that the curves of current density against the potential corrected by the potential drop in the film fall in a single curve for all sweep rates, and do not confirm another, namely, that the potential of minimum of resistivity coincides with the potential of peak current density. |
id |
SCAR_1d6434af294bc4af504776792bc56701 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:repositorio.ufscar.br:ufscar/6463 |
network_acronym_str |
SCAR |
network_name_str |
Repositório Institucional da UFSCAR |
repository_id_str |
4322 |
spelling |
Boscheto, Emerson PaulinhoD'Alkaine, Carlos Venturahttp://genos.cnpq.br:12010/dwlattes/owa/prc_imp_cv_int?f_cod=K4787209Z0http://lattes.cnpq.br/38339982572139333e7c8d6a-e4ab-42eb-b770-ed97beecb6432016-06-02T20:36:25Z2010-06-072016-06-02T20:36:25Z2008-07-02BOSCHETO, Emerson Paulinho. Simulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétrico. 2008. 83 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2008.https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/6463In this work the anodic film growth on metals has been studied, under voltammetric conditions by simulation. It was supposed that: a) the films are ultrathin, i.e., the concentration gradient contributions for the ionic transport throughout the film are much lower than those of the electric field; b) the ionic transport throughout the film obeys an ohmic model where the film ionic resistivity varies during the transient in response to the injection and recombination of recombinant point defects. A new interpretation was given for the Flade potential as a function of the point defect concentration during a voltammetry. The simulations were able to reproduce some behaviors observed experimentally in current density curves versus potential during a voltammetry, such as the peak current density increment and dislocation for more anodic potentials while the sweep rate increases. The simulations have also shown that the point defect concentration passes by a maximum and the resistivity by a minimum in the course of a voltammetry. As regards to the hypotheses assumed during the application of the ohmic model for experimental results the simulations corroborate one of them, namely, that the curves of current density against the potential corrected by the potential drop in the film fall in a single curve for all sweep rates, and do not confirm another, namely, that the potential of minimum of resistivity coincides with the potential of peak current density.Neste trabalho estudou-se o crescimento anódico de filmes sobre metais, sob condições voltamétricas, via simulação. Admitiu-se que: a) os filmes são ultrafinos, isto é, as contribuições do gradiente de defeitos para o transporte iônico através do filme são muito menores que aquelas do campo elétrico; b) o transporte de cargas no interior do filme obedece a um modelo ôhmico, onde a resistividade iônica do filme varia durante o transiente em resposta à injeção e recombinação de defeitos pontuais recombinantes. Uma nova interpretação para o potencial de Flade como função da concentração de defeitos durante uma voltametria foi dada. As simulações conseguiram reproduzir alguns comportamentos observados experimentalmente em curvas de densidade de corrente vs. potencial, como o aumento da densidade de corrente de pico e seu deslocamento para potenciais mais anódicos à medida que a velocidade de varredura aumenta. As simulações também mostraram que a concentração de defeitos pontuais passa por um máximo e a resistividade por um mínimo durante uma voltametria. Com relação às hipóteses assumidas durante a aplicação do modelo ôhmico a resultados experimentais as simulações corroboraram uma, a saber, de que as curvas de densidade de corrente contra o potencial corrigido pela queda de potencial no filme caem em uma única curva para todas as velocidades de varredura, e não confirmaram outra, de que o potencial de mínimo de resistividade coincide com o potencial de pico de densidade de corrente.Universidade Federal de Sao Carlosapplication/pdfporUniversidade Federal de São CarlosPrograma de Pós-Graduação em Química - PPGQUFSCarBRFísico-químicaModelagemÓxidosVoltametriaPotencial de FladeEletroquímicaCIENCIAS EXATAS E DA TERRA::QUIMICASimulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétricoinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesis-1-1143b0d3a-e240-4428-9335-3a5c32e5bfebinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFSCARinstname:Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)instacron:UFSCARORIGINAL3007.pdfapplication/pdf1034908https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/6463/1/3007.pdfb7056f81961896567d145088cf7e2789MD51THUMBNAIL3007.pdf.jpg3007.pdf.jpgIM Thumbnailimage/jpeg9484https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/6463/2/3007.pdf.jpg260e1aebc2e49e6d3935496271351819MD52ufscar/64632023-09-18 18:31:18.92oai:repositorio.ufscar.br:ufscar/6463Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufscar.br/oai/requestopendoar:43222023-09-18T18:31:18Repositório Institucional da UFSCAR - Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)false |
dc.title.por.fl_str_mv |
Simulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétrico |
title |
Simulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétrico |
spellingShingle |
Simulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétrico Boscheto, Emerson Paulinho Físico-química Modelagem Óxidos Voltametria Potencial de Flade Eletroquímica CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::QUIMICA |
title_short |
Simulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétrico |
title_full |
Simulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétrico |
title_fullStr |
Simulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétrico |
title_full_unstemmed |
Simulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétrico |
title_sort |
Simulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétrico |
author |
Boscheto, Emerson Paulinho |
author_facet |
Boscheto, Emerson Paulinho |
author_role |
author |
dc.contributor.authorlattes.por.fl_str_mv |
http://lattes.cnpq.br/3833998257213933 |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Boscheto, Emerson Paulinho |
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv |
D'Alkaine, Carlos Ventura |
dc.contributor.advisor1Lattes.fl_str_mv |
http://genos.cnpq.br:12010/dwlattes/owa/prc_imp_cv_int?f_cod=K4787209Z0 |
dc.contributor.authorID.fl_str_mv |
3e7c8d6a-e4ab-42eb-b770-ed97beecb643 |
contributor_str_mv |
D'Alkaine, Carlos Ventura |
dc.subject.por.fl_str_mv |
Físico-química Modelagem Óxidos Voltametria Potencial de Flade Eletroquímica |
topic |
Físico-química Modelagem Óxidos Voltametria Potencial de Flade Eletroquímica CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::QUIMICA |
dc.subject.cnpq.fl_str_mv |
CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::QUIMICA |
description |
In this work the anodic film growth on metals has been studied, under voltammetric conditions by simulation. It was supposed that: a) the films are ultrathin, i.e., the concentration gradient contributions for the ionic transport throughout the film are much lower than those of the electric field; b) the ionic transport throughout the film obeys an ohmic model where the film ionic resistivity varies during the transient in response to the injection and recombination of recombinant point defects. A new interpretation was given for the Flade potential as a function of the point defect concentration during a voltammetry. The simulations were able to reproduce some behaviors observed experimentally in current density curves versus potential during a voltammetry, such as the peak current density increment and dislocation for more anodic potentials while the sweep rate increases. The simulations have also shown that the point defect concentration passes by a maximum and the resistivity by a minimum in the course of a voltammetry. As regards to the hypotheses assumed during the application of the ohmic model for experimental results the simulations corroborate one of them, namely, that the curves of current density against the potential corrected by the potential drop in the film fall in a single curve for all sweep rates, and do not confirm another, namely, that the potential of minimum of resistivity coincides with the potential of peak current density. |
publishDate |
2008 |
dc.date.issued.fl_str_mv |
2008-07-02 |
dc.date.available.fl_str_mv |
2010-06-07 2016-06-02T20:36:25Z |
dc.date.accessioned.fl_str_mv |
2016-06-02T20:36:25Z |
dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
format |
masterThesis |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.citation.fl_str_mv |
BOSCHETO, Emerson Paulinho. Simulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétrico. 2008. 83 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2008. |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/6463 |
identifier_str_mv |
BOSCHETO, Emerson Paulinho. Simulação do crescimento de filmes sobre metais. O caso voltamétrico. 2008. 83 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2008. |
url |
https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/6463 |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.relation.confidence.fl_str_mv |
-1 -1 |
dc.relation.authority.fl_str_mv |
143b0d3a-e240-4428-9335-3a5c32e5bfeb |
dc.rights.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Universidade Federal de São Carlos |
dc.publisher.program.fl_str_mv |
Programa de Pós-Graduação em Química - PPGQ |
dc.publisher.initials.fl_str_mv |
UFSCar |
dc.publisher.country.fl_str_mv |
BR |
publisher.none.fl_str_mv |
Universidade Federal de São Carlos |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Repositório Institucional da UFSCAR instname:Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR) instacron:UFSCAR |
instname_str |
Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR) |
instacron_str |
UFSCAR |
institution |
UFSCAR |
reponame_str |
Repositório Institucional da UFSCAR |
collection |
Repositório Institucional da UFSCAR |
bitstream.url.fl_str_mv |
https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/6463/1/3007.pdf https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/6463/2/3007.pdf.jpg |
bitstream.checksum.fl_str_mv |
b7056f81961896567d145088cf7e2789 260e1aebc2e49e6d3935496271351819 |
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 |
repository.name.fl_str_mv |
Repositório Institucional da UFSCAR - Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR) |
repository.mail.fl_str_mv |
|
_version_ |
1802136295188725760 |