Estudo por espalhamento Raman dos efeitos de desordem química e estrutural no espectro de fônos do InSb indentado
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Data de Publicação: | 2004 |
Tipo de documento: | Dissertação |
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Joya, Miryam RincónPizani, Paulo Sérgiohttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4783948P5http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4774020T6abd88769-57c1-45f9-b4ab-14139aef5d652016-06-02T20:16:50Z2009-08-242016-06-02T20:16:50Z2004-07-20JOYA, Miryam Rincón. Estudo por espalhamento Raman dos efeitos de desordem química e estrutural no espectro de fônos do InSb indentado.. 2004. 90 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2004.https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5049Financiadora de Estudos e ProjetosNeste trabalho foi feito um estudo das modificações sofridas pelo antimoneto do índio (InSb) crescido na direção[100° quando submetido a realização de testesde microindentações mecânicas e a laser pulsado fentosegundos. Foram feitas, além de amostras cristalinas, microindentações no material usinado no regime dúctil em diferentes condições. Do mesmo modo estudou-se o material submetido a pressão hidrostática e por impacto. Os estudos topográficos e tomográficos das amostras foram feitos por meio de espectroscopia micro-Raman com diferentes comprimentos de onda das luz de excitação. Esta é uma técnica não dstrutiva que permitiu fazer microanálises em pequenas regiões (da ordem de microns) tanto superficial como em profundidade e nos proporcionou informação qualitativa da transformação tanto estrutural quanto química do material. Os deslocamentos das frequências dos fônons e o surgimento de novos modos Raman ativos nos permitiram analisar as transações de fase na microindentação e em torno dela. Durante as microindentações e microusinagem o material está sujeito a deformações e um alto grau de estresse localizado. Após a indentação (descarga) o material tende a se recuperar das deformações que aconteceram durante o processo. Esta recuperação não é total, o que gera estresse residual e amorfização na amostra. Os novos picos Raman ativos são atribuidos a uma nova fase cristalina, a wurtzita, nas indentações mecânicas e por impacto (mudança de estrutura); e uma migração do antimonio à superfície (desordem química) na indentação a laser. Do mesmo modo, aparecem as bandas amorfas que dão informação da desordem estrutural. Também empregou-se microscopia eletrônica de varredura (MEV) espectroscopia de energia (EDS) para avaliar as dimensões dos danos e as mudanças na superfície do material.application/pdfporUniversidade Federal de São CarlosPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFUFSCarBRMatéria - propriedadesRaman, Espalhamento deIndentadoInSbSemicondutoresCIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICAEstudo por espalhamento Raman dos efeitos de desordem química e estrutural no espectro de fônos do InSb indentadoinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesis-1-14d140b42-2fbc-4254-8cd6-74d393a4764dinfo:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFSCARinstname:Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)instacron:UFSCARORIGINALDissMRJ.pdfapplication/pdf5435479https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/5049/1/DissMRJ.pdf91dfb5aa0e471a72ea9d77884113df60MD51THUMBNAILDissMRJ.pdf.jpgDissMRJ.pdf.jpgIM Thumbnailimage/jpeg8256https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/5049/2/DissMRJ.pdf.jpgc1bcdbbda2b7f433f2cf72f4b178e00aMD52ufscar/50492023-09-18 18:31:05.309oai:repositorio.ufscar.br:ufscar/5049Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufscar.br/oai/requestopendoar:43222023-09-18T18:31:05Repositório Institucional da UFSCAR - Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)false |
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