Estudos por espectroscopia Raman da heteroestrutura semicondutora InxGa1-xP/GaAs.
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Data de Publicação: | 2005 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFSCAR |
Texto Completo: | https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/4992 |
Resumo: | In this work, the technique Raman spectroscopy is used in order to study InxGa1-xP films grown with different thickness on GaAs (001). Two sets of samples grown by CBE (Chemical Beam Epitaxy) were analized: the first a GaAs buffer layer of 3000 Ǻ and the second with an 1800 Ǻ buffer layer. Concerning vibrational modes, it was possibleto conclude that for In concentrations around 50 % this alloy has a two mode behaviour. Polarized Raman spectra allowed to estimate the ordering degree of the samples. It was possible to observe strong disorder for all of then, with 0,l26 ≤ η ≤ 0,443. Photoluminescence measurements confirmed the disordering. The stress, the lattice parameters and the concentrationsin the alloys were obtained from the variations of the vibrational modes. The interdifusion of P atoms through the GaAs buffer layer previously observed by X-Ray measurements was confirmed. Finally, a comparative study showed that a sensible difference occur between the vibrational modes of the alloys belonging to each set (with different buffer layer thicknesses). Besides, the absorption coefficients, was also shown to be different for each set. |
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Morais, Rômulo Ronan Oliveira deGalzerani, José Cláudiohttp://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4783800D6http://lattes.cnpq.br/499028157623010323f4b051-9cf6-4c6e-a39f-658af5df5d272016-06-02T20:16:41Z2007-10-192016-06-02T20:16:41Z2005-03-24MORAIS, Rômulo Ronan Oliveira de. Estudos por espectroscopia Raman da heteroestrutura semicondutora InxGa1-xP/GaAs.. 2005. 91 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2005.https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/4992In this work, the technique Raman spectroscopy is used in order to study InxGa1-xP films grown with different thickness on GaAs (001). Two sets of samples grown by CBE (Chemical Beam Epitaxy) were analized: the first a GaAs buffer layer of 3000 Ǻ and the second with an 1800 Ǻ buffer layer. Concerning vibrational modes, it was possibleto conclude that for In concentrations around 50 % this alloy has a two mode behaviour. Polarized Raman spectra allowed to estimate the ordering degree of the samples. It was possible to observe strong disorder for all of then, with 0,l26 ≤ η ≤ 0,443. Photoluminescence measurements confirmed the disordering. The stress, the lattice parameters and the concentrationsin the alloys were obtained from the variations of the vibrational modes. The interdifusion of P atoms through the GaAs buffer layer previously observed by X-Ray measurements was confirmed. Finally, a comparative study showed that a sensible difference occur between the vibrational modes of the alloys belonging to each set (with different buffer layer thicknesses). Besides, the absorption coefficients, was also shown to be different for each set.Neste trabalho a técnica de espectroscopia Raman é utilizada para o estudo de heteroestruturas semicondutoras finas com camadas de espessuras variáveis de InxGa1-xP de rede cristalina casada à do substrato GaAs (001). As amostras forma crescidas pela técnica de Epitaxia por Feixe Químico (CBE do inglês, Chemical Beam Epitaxy). Dois conjuntos diferentes foram analisados, sendo o primeiro com camada buffer de 3000 Å e o segundo com 1800 Å. A análise sobre os modos vibracionais desta liga permitiu concluir que para concentrações de Índio próximas a 50 % ocorre o comportamento denominado a dois modos . Realizamos medidas de Raman polarizado para estimarmos o grau de ordenamento de tais amostras. Pode-se observar uma forte desordem em todas as amostras analisadas, com 0,l26 ≤ η ≥ 0,443. Medidas de Fotoluminescência também foram realizadas confirmando o desordenamento. A partir da variação das freqüências dos modos vibracionais foi feita uma estimativa, através da análise das tensões, dos parâmetros de rede e das concentrações dos elementos que compõem a liga InxGa1-xP de rede casada à do GaAs. Nesta análise estudamos, ainda, a interdifusão de átomos de Fósforo na camada buffer formando a liga GaAs:P. Este fenômeno também foi observado anteriormente, por medidas de raios-X nas mesmas amostras. Por fim, um estudo comparativo levou-nos a concluir que existe uma sensível diferença entre os modos vibracionais das ligas de cada conjunto (com diferentes espessuras da camada buffer ). Além disso os coeficientes de absorção, estimados através da análise dos gráficos da razão das áreas sob a curva dos modos LO-GaAs e LO-GaP em função da espessura do filme, também apresentam-se diferentes para cada conjunto de amostras.Financiadora de Estudos e Projetosapplication/pdfporUniversidade Federal de São CarlosPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFUFSCarBRRaman, Espectroscopia deTensãoOrdenamentoSemicondutoresRaman spectroscopyOrderingStressCIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICAEstudos por espectroscopia Raman da heteroestrutura semicondutora InxGa1-xP/GaAs.info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesis-1-170001c46-5608-4c12-9407-490639f07320info:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFSCARinstname:Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)instacron:UFSCARORIGINALDissRROM.pdfapplication/pdf1359238https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/4992/1/DissRROM.pdf5566c1f28c5e34b0134937066b060f35MD51THUMBNAILDissRROM.pdf.jpgDissRROM.pdf.jpgIM Thumbnailimage/jpeg6283https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/4992/2/DissRROM.pdf.jpg61d0e52e6046bbfead507e224c45af3bMD52ufscar/49922023-09-18 18:31:04.739oai:repositorio.ufscar.br:ufscar/4992Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufscar.br/oai/requestopendoar:43222023-09-18T18:31:04Repositório Institucional da UFSCAR - Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)false |
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