Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs
Autor(a) principal: | |
---|---|
Data de Publicação: | 2010 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UFSCAR |
Texto Completo: | https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5027 |
Resumo: | In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy levels in the resonant conditions. We have also studied the polarized resolved photoluminescence under magnetic field applied parallel to the tunnel current. We have observed that the degree of circular polarization is voltage-dependent under low voltage and laser intensity condition. We have also observed that the degree of polarization of quantum dots tends to zero for high applied voltages. Our results show that the circular polarization depends on the injection and capture of holes by quantum dots. Finally, we observed that the circular polarization from quantum dots can be voltage and light-controlled and could be interesting for the developing of new spintronics devices. |
id |
SCAR_e6496affb3effd2da72ace36dd25dc78 |
---|---|
oai_identifier_str |
oai:repositorio.ufscar.br:ufscar/5027 |
network_acronym_str |
SCAR |
network_name_str |
Repositório Institucional da UFSCAR |
repository_id_str |
4322 |
spelling |
Santos, Ednilson Carlos dosGobato, Yara Galvãohttp://lattes.cnpq.br/7558531056409406http://lattes.cnpq.br/55434669012028095aab1ead-3d02-43b8-8f42-e0757f9991642016-06-02T20:16:47Z2010-07-202016-06-02T20:16:47Z2010-05-07SANTOS, Ednilson Carlos dos. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs. 2010. 73 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2010.https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5027In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy levels in the resonant conditions. We have also studied the polarized resolved photoluminescence under magnetic field applied parallel to the tunnel current. We have observed that the degree of circular polarization is voltage-dependent under low voltage and laser intensity condition. We have also observed that the degree of polarization of quantum dots tends to zero for high applied voltages. Our results show that the circular polarization depends on the injection and capture of holes by quantum dots. Finally, we observed that the circular polarization from quantum dots can be voltage and light-controlled and could be interesting for the developing of new spintronics devices.Neste trabalho realizamos um estudo detalhado de efeitos de spin em um diodo de tunelamento ressonante GaAs/AlGaAs do tipo n com pontos quânticos de InAs no poço quântico. Os estudos foram realizados a partir de medidas elétricas e ópticas na presença e ausência de campo magnético. Os resultados obtidos na ausência de campo magnético são semelhantes aos resultados publicados na literatura para mesma amostra estudada. Em particular, obtivemos uma boa correlação entre a intensidade de luminescência dos quantum dots e a curva característica corrente - tensão (I(V)) do diodo. Os dados obtidos foram associados aos processos de tunelamento, relaxação e captura de portadores nos níveis de energia dos dots. As medidas realizadas na presença de campo magnético foram feitas da configuração de campo magnético paralelo à corrente elétrica no dispositivo. Tal disposição leva à quebra na degenerescência dos níveis em spin dos dots, e resulta em recombinação de portadores com regras de seleção bem definidas com luz circularmente polarizada. Observamos que tanto a emissão circularmente polarizada à esquerda como à direita são dependentes da tensão aplicada no diodo, principalmente na região de baixas voltagens. À medida que a tensão aumenta, a intensidade de polarização tende a zero. Os resultados obtidos são originais e devem auxiliar na compreensão de fenômenos de spin desses sistemas. Esse trabalho poderá também ter interesse no desenvolvimento de possíveis dispositivos de spintronica contendo pontos quânticos.Universidade Federal de Sao Carlosapplication/pdfporUniversidade Federal de São CarlosPrograma de Pós-Graduação em Física - PPGFUFSCarBRSemicondutividade e semicondutoresSpintrônicaTunelamento (Física)FotoluminescênciaDiodosPontos quânticosSpintronicTunnelingPhotoluminescenseQuantum dotsDiodeCIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICAPolarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAsinfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesis-1-195c329bf-cc95-483d-b980-ef5b5a94a0a1info:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UFSCARinstname:Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)instacron:UFSCARORIGINAL3100.pdfapplication/pdf15486082https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/5027/1/3100.pdf5571e424d9aa0ed6b176f29ef78c25dcMD51THUMBNAIL3100.pdf.jpg3100.pdf.jpgIM Thumbnailimage/jpeg6560https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/5027/2/3100.pdf.jpg8685f89b5697ee7797d48c7f27a8313cMD52ufscar/50272023-09-18 18:31:05.145oai:repositorio.ufscar.br:ufscar/5027Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.ufscar.br/oai/requestopendoar:43222023-09-18T18:31:05Repositório Institucional da UFSCAR - Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR)false |
dc.title.por.fl_str_mv |
Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs |
title |
Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs |
spellingShingle |
Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs Santos, Ednilson Carlos dos Semicondutividade e semicondutores Spintrônica Tunelamento (Física) Fotoluminescência Diodos Pontos quânticos Spintronic Tunneling Photoluminescense Quantum dots Diode CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA |
title_short |
Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs |
title_full |
Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs |
title_fullStr |
Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs |
title_full_unstemmed |
Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs |
title_sort |
Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs |
author |
Santos, Ednilson Carlos dos |
author_facet |
Santos, Ednilson Carlos dos |
author_role |
author |
dc.contributor.authorlattes.por.fl_str_mv |
http://lattes.cnpq.br/5543466901202809 |
dc.contributor.author.fl_str_mv |
Santos, Ednilson Carlos dos |
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv |
Gobato, Yara Galvão |
dc.contributor.advisor1Lattes.fl_str_mv |
http://lattes.cnpq.br/7558531056409406 |
dc.contributor.authorID.fl_str_mv |
5aab1ead-3d02-43b8-8f42-e0757f999164 |
contributor_str_mv |
Gobato, Yara Galvão |
dc.subject.por.fl_str_mv |
Semicondutividade e semicondutores Spintrônica Tunelamento (Física) Fotoluminescência Diodos Pontos quânticos |
topic |
Semicondutividade e semicondutores Spintrônica Tunelamento (Física) Fotoluminescência Diodos Pontos quânticos Spintronic Tunneling Photoluminescense Quantum dots Diode CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA |
dc.subject.eng.fl_str_mv |
Spintronic Tunneling Photoluminescense Quantum dots Diode |
dc.subject.cnpq.fl_str_mv |
CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA |
description |
In this work, we have studied spin polarization of carriers in a resonant tunneling diode GaAs/AlGaAs with InAs quantum dots in the center of the quantum well. We have observed that the photoluminescence of quantum dots depends on applied voltage and light intensity. Our results were explained by the capture of minority carriers (holes) to quantum dot energy levels in the resonant conditions. We have also studied the polarized resolved photoluminescence under magnetic field applied parallel to the tunnel current. We have observed that the degree of circular polarization is voltage-dependent under low voltage and laser intensity condition. We have also observed that the degree of polarization of quantum dots tends to zero for high applied voltages. Our results show that the circular polarization depends on the injection and capture of holes by quantum dots. Finally, we observed that the circular polarization from quantum dots can be voltage and light-controlled and could be interesting for the developing of new spintronics devices. |
publishDate |
2010 |
dc.date.available.fl_str_mv |
2010-07-20 2016-06-02T20:16:47Z |
dc.date.issued.fl_str_mv |
2010-05-07 |
dc.date.accessioned.fl_str_mv |
2016-06-02T20:16:47Z |
dc.type.status.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/publishedVersion |
dc.type.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/masterThesis |
format |
masterThesis |
status_str |
publishedVersion |
dc.identifier.citation.fl_str_mv |
SANTOS, Ednilson Carlos dos. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs. 2010. 73 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2010. |
dc.identifier.uri.fl_str_mv |
https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5027 |
identifier_str_mv |
SANTOS, Ednilson Carlos dos. Polarização de spin em heteroestruturas semicondutoras contendo pontos quânticos de InAs. 2010. 73 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de São Carlos, São Carlos, 2010. |
url |
https://repositorio.ufscar.br/handle/ufscar/5027 |
dc.language.iso.fl_str_mv |
por |
language |
por |
dc.relation.confidence.fl_str_mv |
-1 -1 |
dc.relation.authority.fl_str_mv |
95c329bf-cc95-483d-b980-ef5b5a94a0a1 |
dc.rights.driver.fl_str_mv |
info:eu-repo/semantics/openAccess |
eu_rights_str_mv |
openAccess |
dc.format.none.fl_str_mv |
application/pdf |
dc.publisher.none.fl_str_mv |
Universidade Federal de São Carlos |
dc.publisher.program.fl_str_mv |
Programa de Pós-Graduação em Física - PPGF |
dc.publisher.initials.fl_str_mv |
UFSCar |
dc.publisher.country.fl_str_mv |
BR |
publisher.none.fl_str_mv |
Universidade Federal de São Carlos |
dc.source.none.fl_str_mv |
reponame:Repositório Institucional da UFSCAR instname:Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR) instacron:UFSCAR |
instname_str |
Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR) |
instacron_str |
UFSCAR |
institution |
UFSCAR |
reponame_str |
Repositório Institucional da UFSCAR |
collection |
Repositório Institucional da UFSCAR |
bitstream.url.fl_str_mv |
https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/5027/1/3100.pdf https://repositorio.ufscar.br/bitstream/ufscar/5027/2/3100.pdf.jpg |
bitstream.checksum.fl_str_mv |
5571e424d9aa0ed6b176f29ef78c25dc 8685f89b5697ee7797d48c7f27a8313c |
bitstream.checksumAlgorithm.fl_str_mv |
MD5 MD5 |
repository.name.fl_str_mv |
Repositório Institucional da UFSCAR - Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR) |
repository.mail.fl_str_mv |
|
_version_ |
1802136281287753728 |