Predição das propriedades ópticas lineares e não lineares de um derivado de base de Schiff via DFT

• Autor(a) principal: Ribeiro, Ítalo Nuta
• Data de Publicação: 2020
• Tipo de documento: Dissertação
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital Brasileira de Teses e Dissertações da UEG
• Texto Completo: http://www.bdtd.ueg.br/handle/tede/1049
• topic: Base de Schiff; Susceptibilidade elétrica; Polarizabilidade; Hiperpolarizabilidade; Teoria do funcional de densidade (DFT); Schiff Base; Electric susceptibility; Polarizability; Hyperpolarizability; Density functional theory (DFT); CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::QUIMICA

A busca por materiais orgânicos com altas não linearidades tem aumentado nos últimos anos para aplicações tecnológicas, tal como a fotônica e comunicações ópticas ultrarrápidas. Neste trabalho, o cálculo da teoria do funcional de densidade (DFT) combinado com um modelo de polarização contínua (PCM) foi usado para estudar os efeitos do meio solvente sobre os comportamentos elétricos e geométricos do derivado de base de Schiff, (E)-4-[({4-[(piridin-2-ilmetilideno)amino]fenil}amino)-metil]fenol (EPAF). Os parâmetros ópticos lineares e não-lineares, como o momento de dipolo, polarizabilidade linear, primeira e segunda hiperpolarizabilidades foram calculados no nível DFT/CAM-B3LYP/6-311+G(d), para a molécula EPAF em vários meios solventes. O comportamento dinâmico da primeira hiperpolarizabilidade do espalhamento de hiper-Rayleigh (HRS) foi estudado em função da frequência do campo elétrico. Os resultados apresentados para a primeira hiperpolarização do HRS sugerem que o cristal estudado apresenta boas propriedades ópticas não lineares. Além disso, a energia do gap foi calculada a partir da diferença de energia do HOMO-LUMO em vários meios solventes. As interações intermoleculares de cristal EPAF foram estudadas pela análise de superfície de Hirshfeld. A susceptibilidade elétrica de terceira ordem do cristal EPAF também foi calculada, indicando que o cristal EPAF é um candidato promissor para aplicações NLO em dispositivos fotônicos e optoeletrônicos.