Estudo das transições excitônicas em poços quânticos através da técnica de fotoluminescência
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Data de Publicação: | 2024 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UEL |
Texto Completo: | https://repositorio.uel.br/handle/123456789/10774 |
Resumo: | Resumo: Neste trabalho investigamos, através da técnica de fotoluminescência, um conjunto poços quânticos de AlxGa1-xAs/GaAs de largura de 6 Å com concentração de alumínio x variando entre 5 e 35, preparados pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), sobre um substrato de GaAs orientado na direção [1] Através da análise dos resultados obtidos identificamos o pico principal do espectro de fotoluminescência e analisamos seu comportamento em função da temperatura e potência de excitação Fizemos um estudo do comportamento do “gap” de energia (ou da transição excitônica) em função da temperatura (85 a 1 K) a 7 mW (potência de excitação alta o suficiente para blindar as flutuações de potencial) utilizando os modelos propostos por Viña e Pässler (tipo-p e tipo-) Comparamos os parâmetros de ajuste de Eg(T) dos poços com os resultados obtidos para o GaAs “bulk” à mesma potência de excitação e analisamos o efeito do confinamento e da variação da concentração de Al sobre os parâmetros dos diferentes modelos de ajuste |
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Estudo das transições excitônicas em poços quânticos através da técnica de fotoluminescênciaFísica da matéria condensadaPoços quânticosFotoluminescênciaEspectroscopia de luminescênciaCondensed matterQuantum wellsPhotoluminescenceResumo: Neste trabalho investigamos, através da técnica de fotoluminescência, um conjunto poços quânticos de AlxGa1-xAs/GaAs de largura de 6 Å com concentração de alumínio x variando entre 5 e 35, preparados pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), sobre um substrato de GaAs orientado na direção [1] Através da análise dos resultados obtidos identificamos o pico principal do espectro de fotoluminescência e analisamos seu comportamento em função da temperatura e potência de excitação Fizemos um estudo do comportamento do “gap” de energia (ou da transição excitônica) em função da temperatura (85 a 1 K) a 7 mW (potência de excitação alta o suficiente para blindar as flutuações de potencial) utilizando os modelos propostos por Viña e Pässler (tipo-p e tipo-) Comparamos os parâmetros de ajuste de Eg(T) dos poços com os resultados obtidos para o GaAs “bulk” à mesma potência de excitação e analisamos o efeito do confinamento e da variação da concentração de Al sobre os parâmetros dos diferentes modelos de ajusteDissertação (Mestrado em Física) - Universidade Estadual de Londrina, Centro de Ciências Exatas, Programa de Pós-Graduação em FísicaAbstract: It was analyzed in this work, by means of the photoluminescence technique, a set of quantum wells of AlxGaAs with a width of 6A with aluminum x concentration ranging between 5 and 35, prepared by the MBE (molecular beam epitaxy) technique, on a GaAs substrate guided in the [1] direction Through the analysis of the obtained results the main peak of the photoluminescence spectrum was identified, and its behavior was analyzed in terms of temperature and excitation power A study of the gap of energy behavior (or the excitonic transition) due to the temperature (85 to 1 K) at 7 mW (excitation power high enough to protect the fluctuation of the potential) was carried out, using the models proposed by Viña and Passler (type-p and type-p) The Eg(T) adjustment parameters of the wells were compared with the results obtained for the bulk GaAs to the same excitation power, and the confinement and variation effect of the Al concentration on the parameters of the different models of adjustment were analyzedDias, Ivan Frederico Lupiano [Orientador]Borrero, Pedro Pablo GonzalesDuarte, José LeonilSilva, Marco Aurélio Toledo da2024-05-01T12:49:04Z2024-05-01T12:49:04Z2006.0006.04.2006info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisapplication/pdfhttps://repositorio.uel.br/handle/123456789/10774porMestradoFísicaCentro de Ciências ExatasPrograma de Pós-Graduação em FísicaLondrinareponame:Repositório Institucional da UELinstname:Universidade Estadual de Londrina (UEL)instacron:UELinfo:eu-repo/semantics/openAccess2024-07-12T04:20:09Zoai:repositorio.uel.br:123456789/10774Biblioteca Digital de Teses e Dissertaçõeshttp://www.bibliotecadigital.uel.br/PUBhttp://www.bibliotecadigital.uel.br/OAI/oai2.phpbcuel@uel.br||opendoar:2024-07-12T04:20:09Repositório Institucional da UEL - Universidade Estadual de Londrina (UEL)false |
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Resumo: Neste trabalho investigamos, através da técnica de fotoluminescência, um conjunto poços quânticos de AlxGa1-xAs/GaAs de largura de 6 Å com concentração de alumínio x variando entre 5 e 35, preparados pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), sobre um substrato de GaAs orientado na direção [1] Através da análise dos resultados obtidos identificamos o pico principal do espectro de fotoluminescência e analisamos seu comportamento em função da temperatura e potência de excitação Fizemos um estudo do comportamento do “gap” de energia (ou da transição excitônica) em função da temperatura (85 a 1 K) a 7 mW (potência de excitação alta o suficiente para blindar as flutuações de potencial) utilizando os modelos propostos por Viña e Pässler (tipo-p e tipo-) Comparamos os parâmetros de ajuste de Eg(T) dos poços com os resultados obtidos para o GaAs “bulk” à mesma potência de excitação e analisamos o efeito do confinamento e da variação da concentração de Al sobre os parâmetros dos diferentes modelos de ajuste |
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