Propriedades eletrônicas de nanofitas de grafeno sob efeito de cisalhamento simples e campo elétrico
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2016 |
Tipo de documento: | Trabalho de conclusão de curso |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da Universidade Federal do Ceará (UFC) |
Texto Completo: | http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/32796 |
Resumo: | This work intends to study the electronic properties of graphene and graphene nanoribbons of the type AGNR and ZGNR, using the Tight-Binding method in the second quantization formalism to first atomic neighbours. First of all, we analyze the case in which a graphene nanoribbon experiences a simple shear stress. After, we observe the effect that arises when we apply a constant eletric field on graphene nanoribbons AGNR and ZGNR, where the eletric field is parallel to the discrete direction of the nanoribbon. Finally, we consider both perturbations at once (simple shear stress and constant electric field) and compare the result with the effect produced by the perturbations separately. |
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Propriedades eletrônicas de nanofitas de grafeno sob efeito de cisalhamento simples e campo elétricoGrafenoModeloTight-BindingCisalhamentoCampos elétricosThis work intends to study the electronic properties of graphene and graphene nanoribbons of the type AGNR and ZGNR, using the Tight-Binding method in the second quantization formalism to first atomic neighbours. First of all, we analyze the case in which a graphene nanoribbon experiences a simple shear stress. After, we observe the effect that arises when we apply a constant eletric field on graphene nanoribbons AGNR and ZGNR, where the eletric field is parallel to the discrete direction of the nanoribbon. Finally, we consider both perturbations at once (simple shear stress and constant electric field) and compare the result with the effect produced by the perturbations separately.Este trabalho procura estudar as propriedades eletrônicas do grafeno e de nanofitas do tipo AGNR e ZGNR, através do método tight-binding no formalismo de segunda quantização para primeiros vizinhos atômicos. Primeiramente, analisamos o caso onde a nanofita de grafeno é tensionada por cisalhamento simples. Posteriormente, observamos o efeito de interação de um campo elétrico constante aplicado em nanofitas AGNR e ZGNR, onde a direção do campo é paralelo a direção discreta da nanofita. Por fim analisamos os casos conjuntos (strain e campo elétrico) e fizemos comparação dos resultados com casos isolados de cada efeito externo.Costa Filho, Raimundo Nogueira daBandeira, Nathanaell Sousa2018-06-12T13:25:49Z2018-06-12T13:25:49Z2016info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisapplication/pdfBANDEIRA, N. S. Propriedades eletrônica de nanofitas de grafeno sob efeito de cisalhamento simples e campo elétrico. 2016. 60 f. Trabalho de Conclusão de Curso (Bacharelado em Física) - Centro de Ciências, Universidade Federal do Ceará, Fortaleza, 2016.http://www.repositorio.ufc.br/handle/riufc/32796porreponame:Repositório Institucional da Universidade Federal do Ceará (UFC)instname:Universidade Federal do Ceará (UFC)instacron:UFCinfo:eu-repo/semantics/openAccess2019-05-06T15:54:00Zoai:repositorio.ufc.br:riufc/32796Repositório InstitucionalPUBhttp://www.repositorio.ufc.br/ri-oai/requestbu@ufc.br || repositorio@ufc.bropendoar:2024-09-11T18:45:13.583114Repositório Institucional da Universidade Federal do Ceará (UFC) - Universidade Federal do Ceará (UFC)false |
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