Realização de chaves RF baseadas na tecnologia Memristor.

• Autor(a) principal: SILVA, Thais Luana Vidal de Negreiros da.
• Data de Publicação: 2015
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFCG
• Texto Completo: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/19838
• topic: Estágio em Engenharia Elétrica; Estágio na França; Laboratoire des Technologies de la Microélectronique - LTN - Grenoble; Laboratoire de Conception et d’Intégration des Systèmes - LCIS Valence; Tecnologia RFID; Chaves em substrato RO4003C; Chaves RF; Memristor; CBRAM - Conductive Bridging Random-Access Memmory; Conductive Bridging Random-Access Memmory - CBRAM; Internship in Electrical Engineering; Internship in France; RFID technology; RO4003C substrate keys; RF keys; Stage en Génie Electrique; Stage en France; Clés de substrat RO4003C; Clés RF; CBRAM - Mémoire à accès aléatoire à pont conducteur; Mémoire à accès aléatoire à pont conducteur - CBRAM; Engenharia Elétrica.

Uma das limitações do RFID (Radio Frequency IDentification) sem chip é a impossibilidade de reconfigurar os dados. O objetivo deste estágio foirealizar dispositivos reconfiguráveis e de baixo custo que possam ser utilizados em aplicações de RF. Estes dispositivos são do tipo CBRAM (Conductive Bridging Random-Access Memmory), baseados na tecnologia memristor. Foram utilizados cobre e alumínio como elétrodos, e um dielétrico polimérico entre eles. Como substrato, utilizou-se o RO4003C. As tensões de Set e Reset obtidas foram de aproximadamente -0,5 V e 1 V, respectivamente, após o forming1. A relação entre as resistências de Set e Reset foi de 20 000. A largura de banda dos dispositivos foi de cerca de 2 GHz. Além disso, foram detectados problemas devidos à rugosidade do substrato, à difusão de cobre no polímero e à geometria dos dispositivos.