Lasers híbridos sintonizáveis com cavidade externa para aplicação em módulos ópticos coerentes.

• Autor(a) principal: PEREIRA JÚNIOR, Josué.
• Data de Publicação: 2021
• Tipo de documento: Trabalho de conclusão de curso
• Idioma: por
• Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFCG
• Texto Completo: http://dspace.sti.ufcg.edu.br:8080/jspui/handle/riufcg/21025
• topic: Lasers híbridos sintonizáveis; Módulos ópticos coerentes; Fotônica em silício; Amplificador óptico a semicondutor; Tunable Hybrid Lasers; Coherent Optical Modules; Silicon photonics; Semiconductor Optical Amplifier; Engenharia Elétrica.

O presente trabalho tem por objetivo o estudo e a avaliação de desempenho de lasers híbridos sintonizáveis com cavidade externa para aplicação em módulos ópticos coerentes compactos, apresentando e discutindo resultados recentemente publicados na literatura especializada sobre as novas tecnologias de lasers híbridos. Neste sentido, foram estudados dois lasers híbridos sintonizáveis usando cavidades à base de silício (Si) e sílica (SiO2), com faixas de sintonia ultralargas, e foi discutido a viabilidade de um laser sintonizável miniaturizado de alta potência e largura de linha estreita para aplicação em módulos coerentes conectáveis de pequenos formatos, tais como OSFP e QSFP-DD. O laser híbrido III-V/Si e o III-V/SiO2 exibem, de acordo com a literatura utilizada, alta potência de saída acoplada à fibra, sem amplificador óptico a semicondutor (SOA) booster, de até +13 dBm para III-V/Si e +10 dBm para III-V/SiO2 e faixas de sintonia de 95 nm e 66 nm, respectivamente, nas bandas C e L com taxa de supressão de modo lateral (SMSR) maior que 35dB. Já o laser sintonizável miniaturizado alcançou largura de linha estreita (até 60 kHz), SMSR acima de 50 dB, ampla faixa de sintonia (65 nm) e potência de saída de 21.5 dBm na banda-C por meio da integração de um SOA de alta potência. Além disso, é apresentada e discutida uma tecnologia de sensor integrado à pastilha para controle preciso da frequência do laser contra mudanças de corrente do SOA ou variações de temperatura do encapsulamento.