Confinamento DielÃtrico versus QuÃntico em Nanoestruturas

Detalhes bibliográficos
Autor(a) principal: Teldo Anderson da Silva Pereira
Data de Publicação: 2006
Tipo de documento: Tese
Idioma: por
Título da fonte: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFC
Texto Completo: http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=212
http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=213
http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=534
Resumo: Conselho Nacional de Desenvolvimento CientÃfico e TecnolÃgico
id UFC_e582ce833778e1b4140b350a9808c1f5
oai_identifier_str oai:www.teses.ufc.br:325
network_acronym_str UFC
network_name_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFC
spelling info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisConfinamento DielÃtrico versus QuÃntico em Nanoestruturas2006-07-14Gil de Aquino Farias04078683304Josà Alexander de King Freire4614220738782848653191Teldo Anderson da Silva PereiraUniversidade Federal do CearÃPrograma de PÃs-GraduaÃÃo em FÃsicaUFCBRSemicondutores poÃos quÃnticosFISICA DA MATERIA CONDENSADAConselho Nacional de Desenvolvimento CientÃfico e TecnolÃgicoEsse trabalho tem por objetivo estudar sistemas quÃnticos de baixa dimensionalidade do tipo poÃos quÃnticos GaN/HfO2 e Si/High-k. Investigamos propriedades eletrÃnicas, Ãpticas e estados de impurezas em poÃos quÃnticos GaN/HfO2, levando em consideraÃÃo efeito de cargas imagem devido à descontinuidade das constantes dielÃtricas dos materiais do poÃo e da barreira destas estruturas. Primeiramente estudamos os efeitos do potencial imagem de auto-energia sobre as propriedades Ãpticas e eletrÃnicas de poÃos quÃnticos abruptos e nÃo abruptos. Nossos resultados mostram que o efeito do potencial imagem de auto-energia modica fortemente as estruturas eletrÃnicas de poÃos quÃnticos, podendo variar a energia de recombinaÃÃo dos portadores em atà 100 meV. AlÃm disso, o modelo ideal de poÃos quÃnticos nÃo à vÃlido para algumas estruturas com a constante dielÃtrica do poÃo menor que a constante dielÃtrica da barreira, devido ao confinamento de portadores na regiÃo da interface. A energia de ligaÃÃo e a energia total do exciton sÃo estudadas em poÃos quÃnticos abruptos com a constante dielÃtrica do poÃo menor e maior que a constante dielÃtrica da barreira, dando Ãnfase a efeitos causados por cargas imagem: potencial de auto-energia e interaÃÃo do elÃtron (buraco) com as imagens do buraco (elÃtron). Os resultados mostram que, considerando os parÃmetros dos materiais usados neste trabalho, modelos simples (que nÃo consideram efeito de cargas imagem) para cÃlculos de excitons sÃo inadequados para estudar sistemas com a constante dielÃtrica do poÃo menor que a constante dielÃtrica da barreira, visto que modelos mais precisos (que incluem todas as contribuiÃÃes devido Ãs cargas imagem) apresentam resultados com diferenÃas significativas, em torno de 80 meV, entre modelos simples e modelos mais precisos. Finalmente, estudamos a interaÃÃo entre elÃtron-impureza em poÃos quÃnticos GaN/HfO2 abruptos. Os cÃlculos consideram simultaneamente todas as contribuiÃÃes de energias causadas pela diferenÃa entre as constantes dielÃtricas de GaN (= 9.5) e HfO2 (= 25). Os resultados mostram que, considerando os parÃmetros dos materiais usados neste trabalho, à medida que a posiÃÃo da impureza afasta-se do centro do poÃo, no sentido positivo do eixo z, a funÃÃo de onda do elÃtron à atraÃda no mesmo sentido de deslocamento da impureza. A intensidade da atraÃÃo diminui quando a posiÃÃo da impureza afasta-se da interface, no sentido positivo de z, dentro da regiÃo da barreira quÃntica.http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=212http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=213http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=534application/pdfapplication/pdfapplication/pdfinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFCinstname:Universidade Federal do Cearáinstacron:UFC2019-01-21T11:14:53Zmail@mail.com -
dc.title.pt.fl_str_mv Confinamento DielÃtrico versus QuÃntico em Nanoestruturas
title Confinamento DielÃtrico versus QuÃntico em Nanoestruturas
spellingShingle Confinamento DielÃtrico versus QuÃntico em Nanoestruturas
Teldo Anderson da Silva Pereira
Semicondutores
poÃos quÃnticos
FISICA DA MATERIA CONDENSADA
title_short Confinamento DielÃtrico versus QuÃntico em Nanoestruturas
title_full Confinamento DielÃtrico versus QuÃntico em Nanoestruturas
title_fullStr Confinamento DielÃtrico versus QuÃntico em Nanoestruturas
title_full_unstemmed Confinamento DielÃtrico versus QuÃntico em Nanoestruturas
title_sort Confinamento DielÃtrico versus QuÃntico em Nanoestruturas
author Teldo Anderson da Silva Pereira
author_facet Teldo Anderson da Silva Pereira
author_role author
dc.contributor.advisor1.fl_str_mv Gil de Aquino Farias
dc.contributor.advisor1ID.fl_str_mv 04078683304
dc.contributor.advisor-co1.fl_str_mv Josà Alexander de King Freire
dc.contributor.advisor-co1ID.fl_str_mv 46142207387
dc.contributor.authorID.fl_str_mv 82848653191
dc.contributor.author.fl_str_mv Teldo Anderson da Silva Pereira
contributor_str_mv Gil de Aquino Farias
Josà Alexander de King Freire
dc.subject.por.fl_str_mv Semicondutores
poÃos quÃnticos
topic Semicondutores
poÃos quÃnticos
FISICA DA MATERIA CONDENSADA
dc.subject.cnpq.fl_str_mv FISICA DA MATERIA CONDENSADA
dc.description.sponsorship.fl_txt_mv Conselho Nacional de Desenvolvimento CientÃfico e TecnolÃgico
dc.description.abstract.por.fl_txt_mv Esse trabalho tem por objetivo estudar sistemas quÃnticos de baixa dimensionalidade do tipo poÃos quÃnticos GaN/HfO2 e Si/High-k. Investigamos propriedades eletrÃnicas, Ãpticas e estados de impurezas em poÃos quÃnticos GaN/HfO2, levando em consideraÃÃo efeito de cargas imagem devido à descontinuidade das constantes dielÃtricas dos materiais do poÃo e da barreira destas estruturas. Primeiramente estudamos os efeitos do potencial imagem de auto-energia sobre as propriedades Ãpticas e eletrÃnicas de poÃos quÃnticos abruptos e nÃo abruptos. Nossos resultados mostram que o efeito do potencial imagem de auto-energia modica fortemente as estruturas eletrÃnicas de poÃos quÃnticos, podendo variar a energia de recombinaÃÃo dos portadores em atà 100 meV. AlÃm disso, o modelo ideal de poÃos quÃnticos nÃo à vÃlido para algumas estruturas com a constante dielÃtrica do poÃo menor que a constante dielÃtrica da barreira, devido ao confinamento de portadores na regiÃo da interface. A energia de ligaÃÃo e a energia total do exciton sÃo estudadas em poÃos quÃnticos abruptos com a constante dielÃtrica do poÃo menor e maior que a constante dielÃtrica da barreira, dando Ãnfase a efeitos causados por cargas imagem: potencial de auto-energia e interaÃÃo do elÃtron (buraco) com as imagens do buraco (elÃtron). Os resultados mostram que, considerando os parÃmetros dos materiais usados neste trabalho, modelos simples (que nÃo consideram efeito de cargas imagem) para cÃlculos de excitons sÃo inadequados para estudar sistemas com a constante dielÃtrica do poÃo menor que a constante dielÃtrica da barreira, visto que modelos mais precisos (que incluem todas as contribuiÃÃes devido Ãs cargas imagem) apresentam resultados com diferenÃas significativas, em torno de 80 meV, entre modelos simples e modelos mais precisos. Finalmente, estudamos a interaÃÃo entre elÃtron-impureza em poÃos quÃnticos GaN/HfO2 abruptos. Os cÃlculos consideram simultaneamente todas as contribuiÃÃes de energias causadas pela diferenÃa entre as constantes dielÃtricas de GaN (= 9.5) e HfO2 (= 25). Os resultados mostram que, considerando os parÃmetros dos materiais usados neste trabalho, à medida que a posiÃÃo da impureza afasta-se do centro do poÃo, no sentido positivo do eixo z, a funÃÃo de onda do elÃtron à atraÃda no mesmo sentido de deslocamento da impureza. A intensidade da atraÃÃo diminui quando a posiÃÃo da impureza afasta-se da interface, no sentido positivo de z, dentro da regiÃo da barreira quÃntica.
description Conselho Nacional de Desenvolvimento CientÃfico e TecnolÃgico
publishDate 2006
dc.date.issued.fl_str_mv 2006-07-14
dc.type.status.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/publishedVersion
dc.type.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
status_str publishedVersion
format doctoralThesis
dc.identifier.uri.fl_str_mv http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=212
http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=213
http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=534
url http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=212
http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=213
http://www.teses.ufc.br/tde_busca/arquivo.php?codArquivo=534
dc.language.iso.fl_str_mv por
language por
dc.rights.driver.fl_str_mv info:eu-repo/semantics/openAccess
eu_rights_str_mv openAccess
dc.format.none.fl_str_mv application/pdf
application/pdf
application/pdf
dc.publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal do CearÃ
dc.publisher.program.fl_str_mv Programa de PÃs-GraduaÃÃo em FÃsica
dc.publisher.initials.fl_str_mv UFC
dc.publisher.country.fl_str_mv BR
publisher.none.fl_str_mv Universidade Federal do CearÃ
dc.source.none.fl_str_mv reponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFC
instname:Universidade Federal do Ceará
instacron:UFC
reponame_str Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFC
collection Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da UFC
instname_str Universidade Federal do Ceará
instacron_str UFC
institution UFC
repository.name.fl_str_mv -
repository.mail.fl_str_mv mail@mail.com
_version_ 1643295121681154048

Registros relacionados