Desenvolvimento de equipamento para avaliação da degradação de semicondutores de potência
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2005 |
Tipo de documento: | Dissertação |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da UNIFEI (RIUNIFEI) |
Texto Completo: | https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3234 |
Resumo: | Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um equipamento testador de semicondutores de potência, dos tipos diodos e tiristores. Estes semicondutores são utilizados extensivamente em compensadores estáticos de reativos. São apresentados os fundamentos teóricos sobre estes dispositivos e os parâmetros necessários para a análise de degradação relativas as características de bloqueio direto (para tiristores) e reverso (para diodos e tiristores). O desenvolvimento dos circuitos de teste são também demonstrados, assim como o software de controle do equipamento. O conjunto hardware/software deste instrumento permite a execução automática dos testes, aquisitando e arquivando dados resultantes de cada ensaio destes semicondutores. Com base nos resultados destes testes, uma metodologia de análise de degradação é proposta, classificando os componentes como em três estados de operação possíveis: bom, defeituoso ou falho. A influência da temperatura nas características de bloqueio é também analisada. |
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2005-06-012022-04-012022-04-01T11:53:56Z2022-04-01T11:53:56Zhttps://repositorio.unifei.edu.br/jspui/handle/123456789/3234Este trabalho apresenta o desenvolvimento de um equipamento testador de semicondutores de potência, dos tipos diodos e tiristores. Estes semicondutores são utilizados extensivamente em compensadores estáticos de reativos. São apresentados os fundamentos teóricos sobre estes dispositivos e os parâmetros necessários para a análise de degradação relativas as características de bloqueio direto (para tiristores) e reverso (para diodos e tiristores). O desenvolvimento dos circuitos de teste são também demonstrados, assim como o software de controle do equipamento. O conjunto hardware/software deste instrumento permite a execução automática dos testes, aquisitando e arquivando dados resultantes de cada ensaio destes semicondutores. Com base nos resultados destes testes, uma metodologia de análise de degradação é proposta, classificando os componentes como em três estados de operação possíveis: bom, defeituoso ou falho. A influência da temperatura nas características de bloqueio é também analisada.This work presents a development of an equipment to test power semiconductors (diodes and thyristors). These semiconductors are extensively used in static compensators. It is introduced the theoretic foundations about those devices and required parameters to analyse the degradation in forward blocking (for thyristors) and reverse blocking (for diodes an thyristors). The test circuits development is also presented as well as the equipment´s control software. The set of hardware/software of this instrument allows the automatic execution of tests, acquisiting and recording the informations of each semiconductor tested. Based on the results of these tests, a degradative analysis methodology is proposed, categorizing the components in three possible states of operation: good, deficient or fail. The temperature influence in the blocking characteristics is also analyzed.porUniversidade Federal de ItajubáPrograma de Pós-Graduação: Mestrado - Engenharia ElétricaUNIFEIBrasilIESTI - Instituto de Engenharia de Sistemas e Tecnologia da InformaçãoCNPQ::ENGENHARIAS::ENGENHARIA ELÉTRICA::SISTEMAS ELÉTRICOS DE POTÊNCIASistemas elétricos de potênciaSemicondutores de potênciaAvaliação de equipamentosDesenvolvimento de equipamento para avaliação da degradação de semicondutores de potênciainfo:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/masterThesisSILVA, Luiz Eduardo Borges dahttp://lattes.cnpq.br/8514450520201861SILVA, Valberto Ferreira dahttp://lattes.cnpq.br/6254328944222311http://lattes.cnpq.br/7200526505335982GASPAR, Everaldo SimõesGASPAR, Everaldo Simões. Desenvolvimento de equipamento para avaliação da degradação de semicondutores de potência. 2005. 165 f. Dissertação (Mestrado em Engenharia Elétrica) – Universidade Federal de Itajubá, Itajubá, 2005.info:eu-repo/semantics/openAccessreponame:Repositório Institucional da UNIFEI (RIUNIFEI)instname:Universidade Federal de Itajubá (UNIFEI)instacron:UNIFEILICENSElicense.txtlicense.txttext/plain; charset=utf-81748https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/bitstream/123456789/3234/2/license.txt8a4605be74aa9ea9d79846c1fba20a33MD52ORIGINALDissertação_200530252.pdfDissertação_200530252.pdfapplication/pdf7361704https://repositorio.unifei.edu.br/jspui/bitstream/123456789/3234/1/Disserta%c3%a7%c3%a3o_200530252.pdfa528104a5f4c34bbc57240047466d585MD51123456789/32342022-04-01 08:53:58.084oai:repositorio.unifei.edu.br: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Repositório InstitucionalPUBhttps://repositorio.unifei.edu.br/oai/requestrepositorio@unifei.edu.br || geraldocarlos@unifei.edu.bropendoar:70442022-04-01T11:53:58Repositório Institucional da UNIFEI (RIUNIFEI) - Universidade Federal de Itajubá (UNIFEI)false |
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