Implementação e validação de uma modelagem comportamental eletrotérmica de IGBT
Autor(a) principal: | |
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Data de Publicação: | 2022 |
Tipo de documento: | Trabalho de conclusão de curso |
Idioma: | por |
Título da fonte: | Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF) |
Texto Completo: | http://app.uff.br/riuff/handle/1/25906 |
Resumo: | Nos últimos anos, com o desenvolvimento da tecnologia de semicondutores, o IGBT tem sido aperfeiçoado para suportar maiores níveis de corrente e tensão em frequências de chaveamento mais elevadas. Devido a isso, os IGBTs tem sido amplamente usado em aplicações industriais. A modelagem computacional representa uma importante etapa no projeto e analise de equipamentos. Assim, este trabalho apresenta um modelo comportamental eletrotérmico de IGBT capaz de reproduzir as principais características estáticas e dinamicas da chave, levando em consideração a influencia da mudança da temperatura nos parâmetros elétricos da modelagem. A partir dos resultados obtidos, foi possível verificar que o modelo consegue reproduzir de forma satisfatória as características da chave simulada, desta forma, podendo ser utilizado em aplicações como dimensionamento de circuitos elétricos. |
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Implementação e validação de uma modelagem comportamental eletrotérmica de IGBTIGBTModelo comportamentalModelagem de IGBTObtenção de parâmetrosModelagem eletrotérmicaEngenharia elétricaSemicondutorModelagem computacionalBehavioral modelModellingSemiconductorSolid state switchNos últimos anos, com o desenvolvimento da tecnologia de semicondutores, o IGBT tem sido aperfeiçoado para suportar maiores níveis de corrente e tensão em frequências de chaveamento mais elevadas. Devido a isso, os IGBTs tem sido amplamente usado em aplicações industriais. A modelagem computacional representa uma importante etapa no projeto e analise de equipamentos. Assim, este trabalho apresenta um modelo comportamental eletrotérmico de IGBT capaz de reproduzir as principais características estáticas e dinamicas da chave, levando em consideração a influencia da mudança da temperatura nos parâmetros elétricos da modelagem. A partir dos resultados obtidos, foi possível verificar que o modelo consegue reproduzir de forma satisfatória as características da chave simulada, desta forma, podendo ser utilizado em aplicações como dimensionamento de circuitos elétricos.In recent years, the development of power semiconductor technology led to an enhancement in the IGBT power level, allowing the semiconductor to withstand greater levels of currents and voltages at higher switching frequencies. Due to it, the use of high-power IGBTs in industrial applications has increased. Computational modeling performs a critical step in the project and analysis of an industrial application. Thus, this work presents a behavioral IGBT model that can reproduce the main static and dynamic characteristics of an IGBT considereing the temperature influence. The comparison between the simulated and experimental results showed that the model can reproduce the characteristics of the simulated IGBT satisfactory.63 p.França, Bruno WanderleyBitencourt, Alexandre ArrudaSotelo, Guilherme GonçalvesCastano, Jorge Eliécer CaicedoSilva, Marilia de Mello Amorim Novais e2022-07-29T12:56:20Z2022-07-29T12:56:20Z2022info:eu-repo/semantics/publishedVersioninfo:eu-repo/semantics/bachelorThesisapplication/pdfSILVA, Marilia de Mello Amorin Novais e .Implementação e validação de uma modelagem comportamental eletrotérmica de IGBT. 2022. 63 f. Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação em Engenharia Elétrica) - Universidade Federal Fluminense, Niterói, 2022http://app.uff.br/riuff/handle/1/25906CC-BY-SAinfo:eu-repo/semantics/openAccessporreponame:Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF)instname:Universidade Federal Fluminense (UFF)instacron:UFF2023-01-11T15:36:36Zoai:app.uff.br:1/25906Repositório InstitucionalPUBhttps://app.uff.br/oai/requestriuff@id.uff.bropendoar:21202024-08-19T11:01:27.486622Repositório Institucional da Universidade Federal Fluminense (RIUFF) - Universidade Federal Fluminense (UFF)false |
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Nos últimos anos, com o desenvolvimento da tecnologia de semicondutores, o IGBT tem sido aperfeiçoado para suportar maiores níveis de corrente e tensão em frequências de chaveamento mais elevadas. Devido a isso, os IGBTs tem sido amplamente usado em aplicações industriais. A modelagem computacional representa uma importante etapa no projeto e analise de equipamentos. Assim, este trabalho apresenta um modelo comportamental eletrotérmico de IGBT capaz de reproduzir as principais características estáticas e dinamicas da chave, levando em consideração a influencia da mudança da temperatura nos parâmetros elétricos da modelagem. A partir dos resultados obtidos, foi possível verificar que o modelo consegue reproduzir de forma satisfatória as características da chave simulada, desta forma, podendo ser utilizado em aplicações como dimensionamento de circuitos elétricos. |
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